IKZ75N65ES5XKSA1

ИКЗ75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с параметрами напряжения срабатывания 650 В и током 80 А, упаковкой TO247-4.

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания: 650 В
• Ток: 80 А
• Упаковка: TO247-4

• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
• Долгий срок службы благодаря надежной конструкции
• Малый размер и легкость интеграции в различные электронные устройства

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрева и скачков напряжения

• Общее назначение:
• Регулирование напряжения и тока в различных электронных устройствах
• Эффективное управление электрическими нагрузками в промышленных и бытовых приборах
• Использование в системах управления двигателей и преобразователях энергии

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные преобразователи энергии
• Бытовые приборы с высокой потребляемой мощностью
• Системы управления приводами