Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IMBF170R1K0M1XTMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1
;
IMBF170R1K0M1XTMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IMBF170R1K0M1XTMA1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IMBF170R1K0M1XTMA1 при покупке от 1 шт 874.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBF170R1K0M1XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1 — это MOSFET (SICFET) Infineon Technologies с характеристиками:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рейтинг напряжения: 1700В
  • Рейтинг тока: 5.2А
  • Объемный элемент: TO263-7

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи при низких значениях напряжения ввода
  • Низкое значение тока течения в режиме открытия, что снижает энергопотери
  • Высокая надежность благодаря использованию современных технологий производства
  • Устойчивость к перегреву и электрическим шумам

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требуются специальные меры охлаждения из-за высокого тепловыделения при работе под нагрузкой

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных системах питания
  • Применение в преобразователях напряжения
  • Использование в инверторах и других электронных устройствах, требующих высоких напряжений и токов

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Энергоэффективные системы питания
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IMBF170R1K0M1XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V, 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1000mOhm @ 1A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.7V @ 1.1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    275 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-13
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    IMBF170

Техническая документация

 IMBF170R1K0M1XTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 7614 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    874 ₽
  • 10
    579 ₽
  • 100
    411 ₽
  • 500
    385 ₽
  • 1000
    314 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IMBF170R1K0M1XTMA1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IMBF170R1K0M1XTMA1 при покупке от 1 шт 874.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBF170R1K0M1XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1 — это MOSFET (SICFET) Infineon Technologies с характеристиками:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рейтинг напряжения: 1700В
  • Рейтинг тока: 5.2А
  • Объемный элемент: TO263-7

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи при низких значениях напряжения ввода
  • Низкое значение тока течения в режиме открытия, что снижает энергопотери
  • Высокая надежность благодаря использованию современных технологий производства
  • Устойчивость к перегреву и электрическим шумам

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требуются специальные меры охлаждения из-за высокого тепловыделения при работе под нагрузкой

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных системах питания
  • Применение в преобразователях напряжения
  • Использование в инверторах и других электронных устройствах, требующих высоких напряжений и токов

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Энергоэффективные системы питания
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IMBF170R1K0M1XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V, 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1000mOhm @ 1A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.7V @ 1.1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    275 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-13
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    IMBF170

Техническая документация

 IMBF170R1K0M1XTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
    48Кешбэк 7 баллов
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    673Кешбэк 100 баллов
    SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    332Кешбэк 49 баллов
    IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
    282Кешбэк 42 балла
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    119Кешбэк 17 баллов
    MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    489Кешбэк 73 балла
    STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
    285Кешбэк 42 балла
    TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
    122Кешбэк 18 баллов
    SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП