Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1
;
IMBG120R030M1HXTMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IMBG120R030M1HXTMA1 при покупке от 1 шт 2707.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBG120R030M1HXTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 — это полупроводниковый транзистор Infineon Technologies типа SICFET (Silicon Carbide FET) с нейтральным каналом (N-CH). Этот транзистор предназначен для высоковольтных приложений.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 1.2 кВ
    • Рейтинг тока: 56 А
    • Тип: SICFET (SiC MOSFET)
    • Канал: N-CH
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение динамического резистора
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к перегреву
    • Меньшее количество отходов при производстве
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуется специальное оборудование для монтажа
  • Общее назначение:
    • Используется в высоковольтных преобразователях питания
    • Подходит для тяжелых промышленных приложений
    • Применяется в системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи питания
    • Системы энергосбережения
    • Инверторы для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики IMBG120R030M1HXTMA1

Техническая документация

IMBG120R030M1HXTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 654 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 707 ₽
  • 10
    1 904 ₽
  • 100
    1 715 ₽
  • 1000
    1 401 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IMBG120R030M1HXTMA1 при покупке от 1 шт 2707.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBG120R030M1HXTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 — это полупроводниковый транзистор Infineon Technologies типа SICFET (Silicon Carbide FET) с нейтральным каналом (N-CH). Этот транзистор предназначен для высоковольтных приложений.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 1.2 кВ
    • Рейтинг тока: 56 А
    • Тип: SICFET (SiC MOSFET)
    • Канал: N-CH
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение динамического резистора
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к перегреву
    • Меньшее количество отходов при производстве
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуется специальное оборудование для монтажа
  • Общее назначение:
    • Используется в высоковольтных преобразователях питания
    • Подходит для тяжелых промышленных приложений
    • Применяется в системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи питания
    • Системы энергосбережения
    • Инверторы для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики IMBG120R030M1HXTMA1

Техническая документация

IMBG120R030M1HXTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории