Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1
;
IMBG120R045M1HXTMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IMBG120R045M1HXTMA1 при покупке от 1 шт 2394.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBG120R045M1HXTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1 — это полупроводниковый транзистор от компании Infineon Technologies, представляющий собой SICFET (Silicon Carbide FET) N-канального типа с напряжением срабатывания 1.2 кВ и током 47 А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 1.2 кВ
    • Ток: 47 А
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малые потери энергии при работе
    • Высокая теплопроводность из-за использования SiC
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами
    • Требует специфического подхода к проектированию и монтажу
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в промышленных преобразовательных цепях
    • Работа в электротранспорте
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления мощностью
    • Электротранспорт
Выбрано: Показать

Характеристики IMBG120R045M1HXTMA1

Техническая документация

IMBG120R045M1HXTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1224 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 394 ₽
  • 10
    1 671 ₽
  • 100
    1 458 ₽
  • 1000
    1 191 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IMBG120R045M1HXTMA1 при покупке от 1 шт 2394.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBG120R045M1HXTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1 — это полупроводниковый транзистор от компании Infineon Technologies, представляющий собой SICFET (Silicon Carbide FET) N-канального типа с напряжением срабатывания 1.2 кВ и током 47 А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 1.2 кВ
    • Ток: 47 А
    • Пакет: TO263
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малые потери энергии при работе
    • Высокая теплопроводность из-за использования SiC
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами
    • Требует специфического подхода к проектированию и монтажу
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в промышленных преобразовательных цепях
    • Работа в электротранспорте
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления мощностью
    • Электротранспорт
Выбрано: Показать

Характеристики IMBG120R045M1HXTMA1

Техническая документация

IMBG120R045M1HXTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории