Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IMBG120R140M1HXTMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IMBG120R140M1HXTMA1

IMBG120R140M1HXTMA1

IMBG120R140M1HXTMA1
;
IMBG120R140M1HXTMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IMBG120R140M1HXTMA1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263Все характеристики

Минимальная цена IMBG120R140M1HXTMA1 при покупке от 1 шт 1314.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBG120R140M1HXTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBG120R140M1HXTMA1

Информация о компоненте:

  • Модель: IMBG120R140M1HXTMA1
  • Производитель: Infineon Technologies
  • Тип: SICFET (Silicon Carbide FET)
  • Напряжение стабильности: 1.2 кВ
  • Рейтинг тока: 18 А
  • Форм-фактор: TO263

Основные параметры:

  • Напряжение стабильности: 1.2 кВ — способность выдерживать высокое напряжение.
  • Рейтинг тока: 18 А — максимальный ток, который может проходить через компонент без повреждения.
  • Технология: SiCFET — полупроводниковый транзистор с использованием кремния карбид для повышения эффективности.
  • Форм-фактор TO263: стандартная оболочка для монтажа на печатную плату.

Плюсы:

  • Высокая частота работы: благодаря низкому внутреннему сопротивлению.
  • Энергоэффективность: снижение потерь энергии.
  • Малый размер: из-за высокой плотности мощности.
  • Высокая надежность: устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Высокая стоимость: по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Требуются специальные знания при работе: для обеспечения правильной эксплуатации.
  • Требуются дополнительные меры охлаждения: из-за высокой мощности.

Общее назначение:

  • Средства питания: преобразователи напряжения, блоки питания.
  • Автомобильные системы: инверторы, преобразователи.
  • Индустриальные применения: промышленные преобразователи, электродвигатели.
Выбрано: Показать

Характеристики IMBG120R140M1HXTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    189mOhm @ 6A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.7V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.4 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +18V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    491 pF @ 800 V
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Рассеивание мощности (Макс)
    107W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-12
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    IMBG120

Техническая документация

 IMBG120R140M1HXTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 651 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 314 ₽
  • 10
    888 ₽
  • 100
    663 ₽
  • 1000
    541 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IMBG120R140M1HXTMA1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263Все характеристики

Минимальная цена IMBG120R140M1HXTMA1 при покупке от 1 шт 1314.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBG120R140M1HXTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBG120R140M1HXTMA1

Информация о компоненте:

  • Модель: IMBG120R140M1HXTMA1
  • Производитель: Infineon Technologies
  • Тип: SICFET (Silicon Carbide FET)
  • Напряжение стабильности: 1.2 кВ
  • Рейтинг тока: 18 А
  • Форм-фактор: TO263

Основные параметры:

  • Напряжение стабильности: 1.2 кВ — способность выдерживать высокое напряжение.
  • Рейтинг тока: 18 А — максимальный ток, который может проходить через компонент без повреждения.
  • Технология: SiCFET — полупроводниковый транзистор с использованием кремния карбид для повышения эффективности.
  • Форм-фактор TO263: стандартная оболочка для монтажа на печатную плату.

Плюсы:

  • Высокая частота работы: благодаря низкому внутреннему сопротивлению.
  • Энергоэффективность: снижение потерь энергии.
  • Малый размер: из-за высокой плотности мощности.
  • Высокая надежность: устойчивость к перегреву и перенапряжению.

Минусы:

  • Высокая стоимость: по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Требуются специальные знания при работе: для обеспечения правильной эксплуатации.
  • Требуются дополнительные меры охлаждения: из-за высокой мощности.

Общее назначение:

  • Средства питания: преобразователи напряжения, блоки питания.
  • Автомобильные системы: инверторы, преобразователи.
  • Индустриальные применения: промышленные преобразователи, электродвигатели.
Выбрано: Показать

Характеристики IMBG120R140M1HXTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    189mOhm @ 6A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.7V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.4 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +18V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    491 pF @ 800 V
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Рассеивание мощности (Макс)
    107W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-12
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    IMBG120

Техническая документация

 IMBG120R140M1HXTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSZ097N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
    97Кешбэк 14 баллов
    IAUC90N10S5N062ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
    435Кешбэк 65 баллов
    IPD50R950CEAUMA1CONSUMER
    145Кешбэк 21 балл
    IAUZ18N10S5L420ATMA1MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
    228Кешбэк 34 балла
    BSC050N10NS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
    315Кешбэк 47 баллов
    IPN60R600P7SATMA1MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
    202Кешбэк 30 баллов
    IPB017N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 269Кешбэк 190 баллов
    IPC100N04S52R8ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    311Кешбэк 46 баллов
    IAUC41N06S5N102ATMA1MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
    217Кешбэк 32 балла
    ISC058N04NM5ATMA140V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    169Кешбэк 25 баллов
    IPLK60R600PFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
    322Кешбэк 48 баллов
    IQE013N04LM6ATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
    382Кешбэк 57 баллов
    IQE008N03LM5CGATMA1TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
    500Кешбэк 75 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    IPD079N06L3GATMA1MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
    289Кешбэк 43 балла
    BSC360N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
    443Кешбэк 66 баллов
    BSZ0994NSATMA1MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
    182Кешбэк 27 баллов
    BSS126IXTSA1MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
    63Кешбэк 9 баллов
    BSC600N25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
    698Кешбэк 104 балла
    IPT60R022S7XTMA1MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
    1 899Кешбэк 284 балла
    BSC060N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
    313Кешбэк 46 баллов
    IAUC100N04S6N022ATMA1IAUC100N04S6N022ATMA1
    287Кешбэк 43 балла
    IPB108N15N3GATMA1MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
    760Кешбэк 114 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSC060P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
    272Кешбэк 40 баллов
    IPU60R2K1CEAKMA1CONSUMER
    146Кешбэк 21 балл
    BSC0902NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
    170Кешбэк 25 баллов
    IPB200N25N3GATMA1MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
    1 260Кешбэк 189 баллов
    IPC100N04S5L1R1ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    476Кешбэк 71 балл
    IPL60R095CFD7AUMA1MOSFET N CH
    780Кешбэк 117 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП