IMBG65R048M1HXTMA1

Размеры и производитель:

• Маркировка: IMBG65R048M1HXTMA1
• Производитель: Infineon Technologies

Описание:

• Тип: SILICON CARBIDE MOSFET (SiC MOSFET)
• Пакет: PG-TO263-

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 650 В
• Номинальный ток: 48 А
• Частота работы: до 100 кГц (в зависимости от условий)
• Эффективность: до 99% при оптимальных условиях
• Температурный диапазон: от -55°C до +175°C

Плюсы:

• Высокая скорость переключения: до 1 МГц
• Низкое сопротивление Rds(on): 1.1 мОм (при 25°C)
• Высокая термическая стабильность: возможность работы при высоких температурах
• Высокая эффективность: снижение потерь энергии

Минусы:

• Высокая стоимость: относительно других типов полупроводниковых элементов
• Требуют специального оборудования для сборки: необходима специальная техника для обработки SiC

Общее назначение:

• Средства связи: для уменьшения потерь и увеличения эффективности в системах передачи данных
• Автомобильная промышленность: для ускорителей двигателей и систем управления
• Индустрия энергоснабжения: для преобразователей напряжения и регуляторов частоты
• Ветроэнергетика: для управления системами преобразования энергии

Применение:

• В устройствах питания: для уменьшения потерь и повышения эффективности
• В системах управления: для быстрого и точного управления процессами
• В системах управления двигателем: для улучшения динамических характеристик