IMW120R014M1HXKSA1

IMW120R014M1HXKSA1 — это маркировка для MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Infineon Technologies. Классификация SIC DISCRETE указывает на то, что это MOSFET на основе полупроводника силикона кремния (SiC).

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение блокировки: 1200 В
• Размер тока: 14 А
• Технология: SiC (см. выше)
• Количество пакетировок: 1
• Номинальная температура: до +150°C

• Плюсы:
• Высокая частота работы
• Устойчивость к перегреву
• Эффективность при работе с высокими температурами
• Низкое внутреннее сопротивление

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требуется специальное оборудование для сборки

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих высокой эффективности и надежности, таких как:

• Автомобильные системы управления двигателем
• Инверторы для переменного тока
• Промышленные преобразователи
• Системы энергоснабжения