Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IMW120R030M1HXKSA1

IMW120R030M1HXKSA1

IMW120R030M1HXKSA1
;
IMW120R030M1HXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IMW120R030M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 2360.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMW120R030M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMW120R030M1HXKSA1

IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): 3.0 В
    • Максимальное напряжение блокировки (VDS(max)): 1.2 кВ
    • Максимальная токовая способность (ID(on)): 56 А
    • Тип: SICFET (Silicon Carbide FET)
    • Количество контактов (TO247-3): 3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Высокое напряжение блокировки
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий коэффициент дросселирования
    • Эффективность в широком диапазоне рабочих температур
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами
    • Необходимо наличие специализированной электроники для управления
    • Требуются дополнительные меры охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применяются в промышленных преобразователях питания
    • Изготовление светодиодных модулей
    • Работа в солнечных энергетических системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи питания
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления электродвигателями
    • Преобразователи напряжения
    • Светодиодные источники света
Выбрано: Показать

Характеристики IMW120R030M1HXKSA1

Техническая документация

IMW120R030M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 210 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 360 ₽
  • 10
    1 478 ₽
  • 480
    1 477 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IMW120R030M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 2360.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMW120R030M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMW120R030M1HXKSA1

IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(th)): 3.0 В
    • Максимальное напряжение блокировки (VDS(max)): 1.2 кВ
    • Максимальная токовая способность (ID(on)): 56 А
    • Тип: SICFET (Silicon Carbide FET)
    • Количество контактов (TO247-3): 3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Высокое напряжение блокировки
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий коэффициент дросселирования
    • Эффективность в широком диапазоне рабочих температур
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами
    • Необходимо наличие специализированной электроники для управления
    • Требуются дополнительные меры охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применяются в промышленных преобразователях питания
    • Изготовление светодиодных модулей
    • Работа в солнечных энергетических системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи питания
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления электродвигателями
    • Преобразователи напряжения
    • Светодиодные источники света
Выбрано: Показать

Характеристики IMW120R030M1HXKSA1

Техническая документация

IMW120R030M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории