IMW120R060M1HXKSA1

IMW120R060M1HXKSA1 от Infineon Technologies:

• SICFET N-CH (Silicon Carbide FET N-канальный): транзистор на кремнии каббидида с нанопроводником.
• 1.2KV (Ударное напряжение): допустимое максимальное напряжение при котором не происходит разрушения.
• 36A (Рейтинговый ток): максимальный ток, который может проходить транзистор без повреждения.
• TO247-3 (Пакет): тип корпуса транзистора, обеспечивающий надежную термическую проводность.

Основные плюсы:

• Высокая скорость включения/выключения: быстрый переключающий режим.
• Низкое сопротивление при включенном состоянии: высокий КПД.
• Высокая термостойкость: способность работать при высоких температурах.
• Малое количество искажений: стабильная работа при различных условиях.

Основные минусы:

• Высокая стоимость: по сравнению с традиционными транзисторами.
• Требуется специальное оборудование для монтажа: требует точного выполнения процесса установки.
• Сложность в управлении: требуются дополнительные меры для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

• Использование в современных электронных системах, где требуется высокая эффективность и надежность.
• Применяется в промышленных системах управления приводами, трансформаторах, аккумуляторных батареях и других устройствах, где важна быстрая переключаемость и высокая мощность.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильных системах питания и управления.
• Промышленных преобразовательных устройствах.
• Энергосберегающих системах.
• Системах хранения энергии.