Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IMW120R350M1HXKSA1

IMW120R350M1HXKSA1

IMW120R350M1HXKSA1
;
IMW120R350M1HXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IMW120R350M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 950.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMW120R350M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMW120R350M1HXKSA1

IMW120R350M1HXKSA1 от Infineon Technologies

  • SICFET N-канальный транзистор:
    • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
    • Разрядная токовая способность: 4.7 А
    • Компактный корпус TO247-3
  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор с СIC (Silicon Carbide)
    • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
    • Разрядная токовая способность: 4.7 А
    • Максимальное рабочее температура: до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к тепловым воздействиям
    • Энергетическая эффективность
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется дополнительное оборудование для производства
  • Общее назначение:
    • Использование в современных системах питания
    • Применение в промышленных преобразователях частоты
    • Интеграция в системы управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Солнечные системы энергии
    • Батарейные системы
Выбрано: Показать

Характеристики IMW120R350M1HXKSA1

Техническая документация

IMW120R350M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 247 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    950 ₽
  • 10
    541 ₽
  • 100
    478 ₽
  • 480
    411 ₽
  • 1200
    408 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IMW120R350M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 950.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMW120R350M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMW120R350M1HXKSA1

IMW120R350M1HXKSA1 от Infineon Technologies

  • SICFET N-канальный транзистор:
    • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
    • Разрядная токовая способность: 4.7 А
    • Компактный корпус TO247-3
  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор с СIC (Silicon Carbide)
    • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
    • Разрядная токовая способность: 4.7 А
    • Максимальное рабочее температура: до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к тепловым воздействиям
    • Энергетическая эффективность
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется дополнительное оборудование для производства
  • Общее назначение:
    • Использование в современных системах питания
    • Применение в промышленных преобразователях частоты
    • Интеграция в системы управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления электропитанием
    • Солнечные системы энергии
    • Батарейные системы
Выбрано: Показать

Характеристики IMW120R350M1HXKSA1

Техническая документация

IMW120R350M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории