Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IMW65R039M1HXKSA1

IMW65R039M1HXKSA1

IMW65R039M1HXKSA1
;
IMW65R039M1HXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IMW65R039M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 1749.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMW65R039M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMW65R039M1HXKSA1

IMW65R039M1HXKSA1 от Infineon Technologies — это гипербарийный SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 650 В
    • Максимальная токовая способность: 39 А
    • Количество транзисторов: 1
    • Пакет: PG-TO247
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе под высокими температурами и напряжениями
    • Малое время переключения
    • Устойчивость к ионизирующим излучениям
    • Низкий уровень шума и нагрева
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуются специфические знания для работы с SiC компонентами
  • Общее назначение:
    • Применяются в промышленных системах управления электропитанием
    • Используются в электромобилях для управления зарядкой батарей и электродвигателей
    • Входят в состав систем управления электроснабжением в данных центрах
Выбрано: Показать

Характеристики IMW65R039M1HXKSA1

Техническая документация

IMW65R039M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 259 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 749 ₽
  • 10
    1 039 ₽
  • 100
    882 ₽
  • 480
    828 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IMW65R039M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 1749.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMW65R039M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMW65R039M1HXKSA1

IMW65R039M1HXKSA1 от Infineon Technologies — это гипербарийный SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 650 В
    • Максимальная токовая способность: 39 А
    • Количество транзисторов: 1
    • Пакет: PG-TO247
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе под высокими температурами и напряжениями
    • Малое время переключения
    • Устойчивость к ионизирующим излучениям
    • Низкий уровень шума и нагрева
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Требуются специфические знания для работы с SiC компонентами
  • Общее назначение:
    • Применяются в промышленных системах управления электропитанием
    • Используются в электромобилях для управления зарядкой батарей и электродвигателей
    • Входят в состав систем управления электроснабжением в данных центрах
Выбрано: Показать

Характеристики IMW65R039M1HXKSA1

Техническая документация

IMW65R039M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории