Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1
;
IMZ120R030M1HXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IMZ120R030M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 2338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMZ120R030M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1 — это полупроводниковый транзистор Infineon Technologies SICFET (SiC MOSFET) N-канальный с напряжением срабатывания 1.2 кВ и током 56 А.

  • Основные параметры:
    • Тип: SiC MOSFET (SICFET)
    • Напряжение срабатывания: 1.2 кВ
    • Ток: 56 А
    • Пакет: TO247-4
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения (низкие временные характеристики)
    • Высокая термическая стабильность
    • Меньший размер по сравнению с традиционными MOSFET
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуются специфические знания для работы и монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Применяются в промышленной электронике, транспортной отрасли, солнечных панелях и других областях, требующих эффективного управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная индустрия (например, системы зарядки аккумуляторов, приводы)
    • Промышленное оборудование (например, преобразователи частоты)
    • Системы энергосбережения и солнечная энергия
Выбрано: Показать

Характеристики IMZ120R030M1HXKSA1

Техническая документация

IMZ120R030M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1182 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 338 ₽
  • 10
    1 797 ₽
  • 100
    1 740 ₽
  • 480
    1 738 ₽
  • 1200
    1 721 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IMZ120R030M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 2338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMZ120R030M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1 — это полупроводниковый транзистор Infineon Technologies SICFET (SiC MOSFET) N-канальный с напряжением срабатывания 1.2 кВ и током 56 А.

  • Основные параметры:
    • Тип: SiC MOSFET (SICFET)
    • Напряжение срабатывания: 1.2 кВ
    • Ток: 56 А
    • Пакет: TO247-4
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения (низкие временные характеристики)
    • Высокая термическая стабильность
    • Меньший размер по сравнению с традиционными MOSFET
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуются специфические знания для работы и монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Применяются в промышленной электронике, транспортной отрасли, солнечных панелях и других областях, требующих эффективного управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная индустрия (например, системы зарядки аккумуляторов, приводы)
    • Промышленное оборудование (например, преобразователи частоты)
    • Системы энергосбережения и солнечная энергия
Выбрано: Показать

Характеристики IMZ120R030M1HXKSA1

Техническая документация

IMZ120R030M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории