IMZ120R060M1HXKSA1

IMZ120R060M1HXKSA1 — это полупроводниковый транзистор Infineon Technologies, принадлежащий к семейству SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor). Это непроводящий канал N-канальный транзистор с напряжением разрыва 1.2 кВ и током 36 А, установленный в корпусе TO247-4.

• Основные параметры:
• Напряжение разрыва: 1.2 кВ
• Ток: 36 А
• Корпус: TO247-4

• Плюсы:
• Высокая скорость переключения
• Низкий уровень потерь энергии
• Высокая термическая стабильность
• Малые размеры

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
• Требуются специфические знания при проектировании и использовании

Общее назначение: Используется для создания высоковольтных и высокочастотных электронных устройств, таких как инверторы, преобразователи напряжения, приводы двигателей и другие системы управления током.

• Применяется в:
• Автомобильной промышленности
• Промышленном оборудовании
• Энергетических системах
• Системах хранения энергии