Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IMZ120R350M1HXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IMZ120R350M1HXKSA1

IMZ120R350M1HXKSA1

IMZ120R350M1HXKSA1
;
IMZ120R350M1HXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IMZ120R350M1HXKSA1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена IMZ120R350M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 945.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMZ120R350M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMZ120R350M1HXKSA1

IMZ120R350M1HXKSA1 — это полупроводниковый транзистор Infineon Technologies с типом SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor), работающий в режиме N-канального.

  • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
  • Номинальный ток: 4.7 А
  • Пакет: TO247-4

Основные параметры:

  • Тип: N-канальный SICFET
  • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
  • Номинальный ток: 4.7 А
  • Пакет: TO247-4

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря использованию SiC материала
  • Высокое напряжение блокировки, что позволяет применять в высоковольтных системах
  • Малый размер и легкость по сравнению с традиционными транзисторами
  • Высокая термостойкость, что обеспечивает надежную работу при высоких температурах

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
  • Требуются специфические знания для работы из-за особенностей SiC технологий
  • Требуются дополнительные меры охлаждения из-за высокой мощности

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность, такие как:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем
  • Промышленные преобразователи и инверторы
  • Энергосберегающие решения в бытовой электронике
Выбрано: Показать

Характеристики IMZ120R350M1HXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350mOhm @ 2A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.7V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.3 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +23V, -7V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    182 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4-1
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    IMZ120

Техническая документация

 IMZ120R350M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 421 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    945 ₽
  • 10
    550 ₽
  • 100
    497 ₽
  • 480
    437 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IMZ120R350M1HXKSA1
  • Описание:
    SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена IMZ120R350M1HXKSA1 при покупке от 1 шт 945.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMZ120R350M1HXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMZ120R350M1HXKSA1

IMZ120R350M1HXKSA1 — это полупроводниковый транзистор Infineon Technologies с типом SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor), работающий в режиме N-канального.

  • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
  • Номинальный ток: 4.7 А
  • Пакет: TO247-4

Основные параметры:

  • Тип: N-канальный SICFET
  • Номинальное напряжение блокировки: 1.2 кВ
  • Номинальный ток: 4.7 А
  • Пакет: TO247-4

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря использованию SiC материала
  • Высокое напряжение блокировки, что позволяет применять в высоковольтных системах
  • Малый размер и легкость по сравнению с традиционными транзисторами
  • Высокая термостойкость, что обеспечивает надежную работу при высоких температурах

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
  • Требуются специфические знания для работы из-за особенностей SiC технологий
  • Требуются дополнительные меры охлаждения из-за высокой мощности

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность, такие как:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем
  • Промышленные преобразователи и инверторы
  • Энергосберегающие решения в бытовой электронике
Выбрано: Показать

Характеристики IMZ120R350M1HXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V, 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350mOhm @ 2A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.7V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.3 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +23V, -7V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    182 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    60W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4-1
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    IMZ120

Техническая документация

 IMZ120R350M1HXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS5C628NT1GMOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
    311Кешбэк 46 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NVMFS6H852NT1GMOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NVMFS5C673NLWFAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
    317Кешбэк 47 баллов
    NVMYS2D9N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
    317Кешбэк 47 баллов
    NVMJS1D7N04CTWGMOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS003N04CTAGMOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NTMFSC010N08M7MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C454NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C673NLWFTAGMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C658NLTAGMOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS6H854NTAGMOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
    321Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5C466NT1GMOSFET N-CH 40V 15A/49A 5DFN
    321Кешбэк 48 баллов
    FDD86380-F085MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    NVTFS5C466NLWFTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
    322Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H836NT3GT8 80V SO8FL
    324Кешбэк 48 баллов
    NVMJS1D5N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NTD5C632NLT4GT6 60V LL DPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NVTFS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    324Кешбэк 48 баллов
    NTMYS2D4N04CTWGMOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
    325Кешбэк 48 баллов
    NTMFS5C430NLAT1GNFET SO8FL 40V 200A 1.5MOH
    326Кешбэк 48 баллов
    MTV32N20EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5H663NLWFT1GMOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVTFWS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H852NWFT1GMOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVTFS5C460NLWFTAGMOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5C456NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 87A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H824NLT1GMOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
    328Кешбэк 49 баллов
    NTMFS0D8N03CT1GMOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
    328Кешбэк 49 баллов
    NTTFS8D1N08HTAGMOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
    330Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП