IMZA65R039M1HXKSA1

Размеры и описание:

• Маркировка: IMZA65R039M1HXKSA1

• Производитель: Infineon Technologies

• Тип: SILICON CARBIDE MOSFET (СИК)

• Пакет: PG-TO247

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 650 В

• Номинальный ток: 39 А

• Максимальная рабочая температура: до +175°C

• Частота работы: до 100 кГц

Плюсы:

• Высокая проводимость при низком сопротивлении

• Высокая частота работы

• Малые потери при работе

• Высокая термостойкость

• Долгий срок службы из-за низкого уровня выгорания

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET

• Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования

• Требуют точного управления для предотвращения перегрева

Общее назначение:

• Используется в высоковольтных и высокочастотных приложениях

• Подходит для применения в системах питания, солнечных батарей, электромобилей и других энергоэффективных системах

В каких устройствах применяется:

• Электромобили и гибридные автомобили

• Солнечные системы

• Устройства с высоким КПД питания

• Беспроводные зарядные станции

• Промышленное оборудование