IMZA65R048M1HXKSA1

IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies MOSFET 650V NCH SIC TRENCH — это полупроводниковый транзистор с высоким напряжением и использованием кремниевого керамического процесса (SiC).

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 650В
• Тип: N-канальный
• Технология: SiC TRENCH
• Максимальный ток: 48А
• Частота: до 120кГц
• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе в средних и высоких напряжениях
• Уменьшение потерь энергии благодаря низкому сопротивлению
• Высокая частота работы
• Устойчивость к перегреву
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требуют специфического оборудования для монтажа и тестирования
• Общее назначение:
• Использование в мощных электронных системах
• Применяются в промышленной автоматизации, электромобилях, солнечных батареях и инверторах
• Подходят для управления мощными нагрузками в условиях высоких температур и больших напряжений
• В каких устройствах применяется:
• Солнечные системы и аккумуляторные батареи
• Инверторы и преобразователи
• Электромобили и гибридные автомобили
• Промышленное оборудование и автоматизация