IPA126N10N3GXKSA1

IPA126N10N3GXKSA1 — это полупроводниковый элемент, выпущенный компанией Infineon Technologies. Это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с высоким напряжением.

• Основные параметры:
• Разрядное напряжение: 1200 В
• Разрядная мощность: 650 ВА
• Ток разряда: 10 А
• Количество каналов: 3
• Технология производства: GaN (гексагональный кремний)

• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Низкое сопротивление при прохождении тока
• Устойчивость к перегреву
• Малый размер и легкость

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-транзисторами
• Требует специализированного оборудования для монтажа и тестирования
• Требуется дополнительная термическая система охлаждения

Общее назначение: Элемент используется в различных приборах и устройствах, требующих высокого напряжения и мощности, таких как:

• Автомобильные системы питания
• Инверторы
• Промышленное оборудование
• Электронные устройства с высокими требованиями к надежности и энергоэффективности