Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPAN50R500CEXKSA1
IPAN50R500CEXKSA1

IPAN50R500CEXKSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPAN50R500CEXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPAN50R500CEXKSA1 при покупке от 1 шт 270.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPAN50R500CEXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPAN50R500CEXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500mOhm @ 2.3A, 13V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    433 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    28W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    IPAN50
Техническая документация
 IPAN50R500CEXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 406 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    270 ₽
  • 50
    127 ₽
  • 100
    113 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPAN50R500CEXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPAN50R500CEXKSA1 при покупке от 1 шт 270.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPAN50R500CEXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPAN50R500CEXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500mOhm @ 2.3A, 13V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    433 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    28W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    IPAN50
Техническая документация
 IPAN50R500CEXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPZ60R037P7XKSA1MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
    980Кешбэк 147 баллов
    NTD5C648NLT4GMOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
    1 015Кешбэк 152 балла
    NTTFS6H850NTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    256Кешбэк 38 баллов
    FCB099N65S3MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
    1 197Кешбэк 179 баллов
    NTE2388MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
    1 093Кешбэк 163 балла
    2N7002NXAKRТранзистор: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
    23.7Кешбэк 3 балла
    IPP65R050CFD7AAKSA1MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
    1 556Кешбэк 233 балла
    DI040P04PTMOSFET, -40V, -40A, P, 22.7W
    251Кешбэк 37 баллов
    IPP65R110CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    787Кешбэк 118 баллов
    IPD95R750P7ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
    426Кешбэк 63 балла
    CPH3323-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    27.3Кешбэк 4 балла
    SQD25N15-52_GE3MOSFET N-CH 150V 25A TO252
    791Кешбэк 118 баллов
    SIHG065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
    1 146Кешбэк 171 балл
    FDP4030LN-CHANNEL POWER MOSFET
    162Кешбэк 24 балла
    RS1L120GNTBMOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
    315Кешбэк 47 баллов
    CSD18510KCSMOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
    505Кешбэк 75 баллов
    SQD100N03-3M4_GE3MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
    432Кешбэк 64 балла
    TK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
    997Кешбэк 149 баллов
    IPA80R600P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
    353Кешбэк 52 балла
    RQ7L055BGTCRNCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
    284Кешбэк 42 балла
    UF3SC120040B7S1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
    5 818Кешбэк 872 балла
    SI2102A-TPN-CHANNEL MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    IPD60R600E6ATMA1MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
    343Кешбэк 51 балл
    UPA2715GR-E1-ATP-CHANNEL POWER MOSFET
    383Кешбэк 57 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    308Кешбэк 46 баллов
    UF3SC065030B7S650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
    4 233Кешбэк 634 балла
    RJ1L12BGNTLLNCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
    1 192Кешбэк 178 баллов
    AUIRFS8403TRRMOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
    299Кешбэк 44 балла
    SISH116DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    SSM6K810R,LXHFAUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
    199Кешбэк 29 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП