Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPAN60R360PFD7SXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPAN60R360PFD7SXKSA1

IPAN60R360PFD7SXKSA1

IPAN60R360PFD7SXKSA1
;
IPAN60R360PFD7SXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPAN60R360PFD7SXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 10A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPAN60R360PFD7SXKSA1 при покупке от 1 шт 261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPAN60R360PFD7SXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPAN60R360PFD7SXKSA1

IPAN60R360PFD7SXKSA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Это непроводящий полупроводниковый транзистор с нейтронной проводимостью, работающий при напряжении до 650 В.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) — 650 В
    • Номинальный ток (ID) — 10 А
    • Пакет — TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малое энергопотребление
    • Низкое значение тока течения при открытом транзисторе (VDS(on))
    • Работа в широком диапазоне температур
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при больших нагрузках

Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями в различных приборах и системах. Может применяться для:

  • Приводов двигателей
  • Питания цифровых устройств
  • Автомобильных систем
  • Энергоэффективных решений
Выбрано: Показать

Характеристики IPAN60R360PFD7SXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 2.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 140µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    534 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    23W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    IPAN60

Техническая документация

 IPAN60R360PFD7SXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 525 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    261 ₽
  • 50
    142 ₽
  • 500
    106 ₽
  • 2000
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPAN60R360PFD7SXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 10A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPAN60R360PFD7SXKSA1 при покупке от 1 шт 261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPAN60R360PFD7SXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPAN60R360PFD7SXKSA1

IPAN60R360PFD7SXKSA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Это непроводящий полупроводниковый транзистор с нейтронной проводимостью, работающий при напряжении до 650 В.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) — 650 В
    • Номинальный ток (ID) — 10 А
    • Пакет — TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малое энергопотребление
    • Низкое значение тока течения при открытом транзисторе (VDS(on))
    • Работа в широком диапазоне температур
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения при больших нагрузках

Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями в различных приборах и системах. Может применяться для:

  • Приводов двигателей
  • Питания цифровых устройств
  • Автомобильных систем
  • Энергоэффективных решений
Выбрано: Показать

Характеристики IPAN60R360PFD7SXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 2.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 140µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    534 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    23W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    IPAN60

Техническая документация

 IPAN60R360PFD7SXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPW65R190CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
    759Кешбэк 113 баллов
    IPB19DP10NMATMA1TRENCH >=100V PG-TO263-3
    449Кешбэк 67 баллов
    IPB80P04P407ATMA2MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
    568Кешбэк 85 баллов
    IPP65R110CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    780Кешбэк 117 баллов
    IMBG120R030M1HXTMA1SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
    2 707Кешбэк 406 баллов
    IMBG120R140M1HXTMA1SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
    1 304Кешбэк 195 баллов
    SPP08N80C3XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
    496Кешбэк 74 балла
    IPB065N15N3GATMA1MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
    818Кешбэк 122 балла
    IRFP4568PBFXKMA1Транзистор: TRENCH >=100V PG-TO247-3
    967Кешбэк 145 баллов
    IRF300P227MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
    1 372Кешбэк 205 баллов
    IPA60R180P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
    474Кешбэк 71 балл
    BSC016N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
    467Кешбэк 70 баллов
    IPD60R360P7SAUMA1MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
    230Кешбэк 34 балла
    IPD60R180P7SAUMA1MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов
    IPD60R2K0PFD7SAUMA1MOSFET N-CH 650V 3A TO252-3
    81Кешбэк 12 баллов
    SPB80N06SL2-7N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
    230Кешбэк 34 балла
    AUIRL3705NAUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
    261Кешбэк 39 баллов
    IPTC019N10NM5ATMA1MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
    809Кешбэк 121 балл
    IPP60R210CFD7XKSA1MOSFET N CH
    465Кешбэк 69 баллов
    IPB024N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    848Кешбэк 127 баллов
    IAUT300N08S5N012ATMA2MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
    903Кешбэк 135 баллов
    IPDQ60R010S7XTMA1HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
    3 692Кешбэк 553 балла
    IPB035N08N3GATMA1MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    881Кешбэк 132 балла
    IRF135S203MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
    770Кешбэк 115 баллов
    IPB120N06S403ATMA2MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
    645Кешбэк 96 баллов
    IPI029N06NAKSA1MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
    533Кешбэк 79 баллов
    IPAN60R360PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 10A TO220
    261Кешбэк 39 баллов
    IPA90R1K2C3XKSA2MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
    452Кешбэк 67 баллов
    IPB65R110CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
    1 118Кешбэк 167 баллов
    IPB65R050CFD7AATMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
    1 512Кешбэк 226 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП