Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPB054N06N3GATMA1
IPB054N06N3GATMA1

IPB054N06N3GATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB054N06N3GATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB054N06N3GATMA1 при покупке от 1 шт 464.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB054N06N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPB054N06N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 58µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    82 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6600 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB054
Техническая документация
 IPB054N06N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1379 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    464 ₽
  • 10
    299 ₽
  • 100
    205 ₽
  • 500
    165 ₽
  • 2000
    141 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB054N06N3GATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB054N06N3GATMA1 при покупке от 1 шт 464.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB054N06N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPB054N06N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 58µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    82 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6600 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB054
Техническая документация
 IPB054N06N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVD5C478NLT4GMOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
    206Кешбэк 30 баллов
    SQD50P08-28_GE3MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
    631Кешбэк 94 балла
    NTPF095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 433Кешбэк 214 баллов
    RXH090N03TB14V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
    279Кешбэк 41 балл
    RD3H045SPFRATLMOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
    405Кешбэк 60 баллов
    ZXMN6A07FQTAMOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    111Кешбэк 16 баллов
    SISH112DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
    370Кешбэк 55 баллов
    TPIC1502DWRSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    334Кешбэк 50 баллов
    DMT10H072LFDF-7MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
    110Кешбэк 16 баллов
    STW36N60M6MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
    1 283Кешбэк 192 балла
    IPD90R1K2C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
    389Кешбэк 58 баллов
    NVTFS5C673NLTAGMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
    334Кешбэк 50 баллов
    NTMT125N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 330Кешбэк 199 баллов
    UPA1724G-E1-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    232Кешбэк 34 балла
    SI2369BDS-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
    113Кешбэк 16 баллов
    MPF4856RLRASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    22Кешбэк 3 балла
    IPAN70R360P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
    327Кешбэк 49 баллов
    SIR184DP-T1-RE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
    266Кешбэк 39 баллов
    NVTFS6H850NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    378Кешбэк 56 баллов
    SSM6J214FE(TE85L,FMOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
    93Кешбэк 13 баллов
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    109Кешбэк 16 баллов
    NVMFS5C645NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
    668Кешбэк 100 баллов
    PJC7401_R1_00001SOT-323, MOSFET
    82Кешбэк 12 баллов
    DMT6004SPS-13MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
    429Кешбэк 64 балла
    IRFR421N-CHANNEL POWER MOSFET
    99Кешбэк 14 баллов
    SQJ443EP-T2_GE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    299Кешбэк 44 балла
    PMV19XNEARMOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
    80Кешбэк 12 баллов
    SQJA36EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
    431Кешбэк 64 балла
    MTSF3N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    58Кешбэк 8 баллов
    NVD5117PLT4G-VF01MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
    668Кешбэк 100 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП