IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1 — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Он предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность.

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Номинальное напряжение: 75 В
• Номинальная токовая способность: 100 А
• Пакет: TO263-3

• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком сопротивлении
• Малые потери энергии при работе
• Надежность и долговечность
• Удобство установки благодаря стандартному пакету TO263-3

• Минусы:
• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Сложность в выборе оптимального значения емкости буферного конденсатора при работе в режиме частотной инверсии

• Общее назначение:
• Применяется в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими токами и напряжениями
• Используется в системах питания и преобразования напряжений
• Применяется в промышленных и бытовых приборах, где требуется эффективное управление нагрузками

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах питания и управления
• Промышленных преобразователях и системах управления
• Бытовой технике с высокими требованиями к энергоэффективности