Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1
;
IPB110N20N3LFATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPB110N20N3LFATMA1 при покупке от 1 шт 1380.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB110N20N3LFATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенного для применения в цифровых и аналоговых электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 200 В
    • Номинальная токовая способность: 88 А
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Малый сопротивление при прохождении тока
    • Компактный размер пакета TO263-3
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Необходимо наличие дополнительных компонентов для защиты от ударов по вольтампернойCharacteristic
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в системах питания
    • Переключение высокочастотных сигналов
    • Изоляция цифровых и аналоговых цепей
    • Драйверы для высоковольтных устройств
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IPB110N20N3LFATMA1

Техническая документация

IPB110N20N3LFATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2747 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 380 ₽
  • 10
    934 ₽
  • 100
    707 ₽
  • 1000
    578 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPB110N20N3LFATMA1 при покупке от 1 шт 1380.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB110N20N3LFATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенного для применения в цифровых и аналоговых электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 200 В
    • Номинальная токовая способность: 88 А
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Малый сопротивление при прохождении тока
    • Компактный размер пакета TO263-3
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Необходимо наличие дополнительных компонентов для защиты от ударов по вольтампернойCharacteristic
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в системах питания
    • Переключение высокочастотных сигналов
    • Изоляция цифровых и аналоговых цепей
    • Драйверы для высоковольтных устройств
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IPB110N20N3LFATMA1

Техническая документация

IPB110N20N3LFATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории