Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPB120N04S401ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1
;
IPB120N04S401ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB120N04S401ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB120N04S401ATMA1 при покупке от 1 шт 662.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB120N04S401ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток прямого тока (ID): 120 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 40 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение при работе
    • Простота использования и управления
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений и перетока
    • Могут быть ограничения по температуре при длительной работе
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоких токов
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Питание электронных устройств
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IPB120N04S401ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 140µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    176 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    188W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB120

Техническая документация

 IPB120N04S401ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1813 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    662 ₽
  • 10
    432 ₽
  • 100
    302 ₽
  • 500
    264 ₽
  • 1000
    216 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB120N04S401ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB120N04S401ATMA1 при покупке от 1 шт 662.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB120N04S401ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток прямого тока (ID): 120 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 40 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый тепловыделение при работе
    • Простота использования и управления
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений и перетока
    • Могут быть ограничения по температуре при длительной работе
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоких токов
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Питание электронных устройств
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IPB120N04S401ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 140µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    176 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    188W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB120

Техническая документация

 IPB120N04S401ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFR420APBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    IRFU210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
    197Кешбэк 29 баллов
    SIR172ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
    138Кешбэк 20 баллов
    SI4128DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
    121Кешбэк 18 баллов
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    232Кешбэк 34 балла
    SIA432DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    248Кешбэк 37 баллов
    SI3473CDV-T1-E3MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
    200Кешбэк 30 баллов
    SI1467DH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
    191Кешбэк 28 баллов
    SI8472DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
    121Кешбэк 18 баллов
    IRFD320PBFMOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
    471Кешбэк 70 баллов
    SI7636DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
    232Кешбэк 34 балла
    IRFR020TRPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    SI7634BDP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    521Кешбэк 78 баллов
    SIRA02DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    348Кешбэк 52 балла
    SISA10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
    243Кешбэк 36 баллов
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    903Кешбэк 135 баллов
    SI7686DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    412Кешбэк 61 балл
    SI8812DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
    123Кешбэк 18 баллов
    SI7456DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
    646Кешбэк 96 баллов
    SI7430DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
    727Кешбэк 109 баллов
    IRFR9014TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    234Кешбэк 35 баллов
    IRFR014TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    250Кешбэк 37 баллов
    SIB422EDK-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    140Кешбэк 21 балл
    SI3430DV-T1-E3MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    329Кешбэк 49 баллов
    SIR698DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
    340Кешбэк 51 балл
    SI4485DY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    184Кешбэк 27 баллов
    SIE818DF-T1-E3MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
    909Кешбэк 136 баллов
    SI4464DY-T1-E3MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
    406Кешбэк 60 баллов
    IRF620SPBFMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
    511Кешбэк 76 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП