Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1
;
IPB123N10N3GATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB123N10N3GATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB123N10N3GATMA1 при покупке от 1 шт 398.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB123N10N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies — MOSFET N-канальный 100В 58А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 58А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует дополнительного проектирования системы охлаждения из-за высоких тепловых нагрузок
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых электрических цепях
    • Регулировка напряжения и тока в различных приборах
    • Применение в системах питания и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем и электроника
    • Системы управления промышленным оборудованием
    • Питание и преобразование напряжения в бытовой технике
    • Электроприводы и приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики IPB123N10N3GATMA1

Техническая документация

IPB123N10N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2122 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    398 ₽
  • 10
    256 ₽
  • 100
    174 ₽
  • 1000
    127 ₽
  • 3000
    113 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB123N10N3GATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB123N10N3GATMA1 при покупке от 1 шт 398.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB123N10N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies — MOSFET N-канальный 100В 58А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 58А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует дополнительного проектирования системы охлаждения из-за высоких тепловых нагрузок
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых электрических цепях
    • Регулировка напряжения и тока в различных приборах
    • Применение в системах питания и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем и электроника
    • Системы управления промышленным оборудованием
    • Питание и преобразование напряжения в бытовой технике
    • Электроприводы и приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики IPB123N10N3GATMA1

Техническая документация

IPB123N10N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории