Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD200N15N3GATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1
;
IPD200N15N3GATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD200N15N3GATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD200N15N3GATMA1 при покупке от 1 шт 400.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD200N15N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET N-CH 150В 50А TO252-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150В
    • Номинальный ток: 50А
    • Форм-фактор: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки при отключенном токе
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимо учесть теплоотвод при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в источниках питания
    • Управление мощными электрическими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания для ноутбуков и ПК
    • Промышленные преобразователи
    • Электроприводы
Выбрано: Показать

Характеристики IPD200N15N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1820 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD200

Техническая документация

 IPD200N15N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4663 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    400 ₽
  • 10
    311 ₽
  • 100
    241 ₽
  • 500
    211 ₽
  • 2500
    173 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD200N15N3GATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD200N15N3GATMA1 при покупке от 1 шт 400.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD200N15N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET N-CH 150В 50А TO252-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150В
    • Номинальный ток: 50А
    • Форм-фактор: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки при отключенном токе
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимо учесть теплоотвод при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в источниках питания
    • Управление мощными электрическими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания для ноутбуков и ПК
    • Промышленные преобразователи
    • Электроприводы
Выбрано: Показать

Характеристики IPD200N15N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1820 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD200

Техническая документация

 IPD200N15N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN2320UFB4-7BMOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
    89Кешбэк 13 баллов
    DMG2302UQ-13MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
    124Кешбэк 18 баллов
    DMG2301L-13MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
    46Кешбэк 6 баллов
    DMP10H4D2S-7MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
    74Кешбэк 11 баллов
    DMN2065UW-7MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
    76Кешбэк 11 баллов
    DMG4800LK3-13MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
    126Кешбэк 18 баллов
    BSS138Q-7-FMOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    29.6Кешбэк 4 балла
    DMN3900UFA-7BMOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
    52Кешбэк 7 баллов
    DMN2028UFDF-7MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN6040SVT-7MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
    130Кешбэк 19 баллов
    DMG2302UK-7MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN10H220L-13MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2300U-7MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    ZXMN3A02X8TA
    272Кешбэк 40 баллов
    DMN24H3D5L-7MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
    156Кешбэк 23 балла
    DMN63D8LW-7MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    DMT6004LPS-13MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
    287Кешбэк 43 балла
    DMN2005K-7MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
    80Кешбэк 12 баллов
    DMP22D4UFA-7BMOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3016LSS-13MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
    119Кешбэк 17 баллов
    ZXMP10A18KTCMOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
    296Кешбэк 44 балла
    ZXMN10A07FTAMOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
    104Кешбэк 15 баллов
    ZXMN4A06GTAMOSFET N-CH 40V 5A SOT223
    204Кешбэк 30 баллов
    DMG3418L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN3300U-7MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
    106Кешбэк 15 баллов
    DMG3401LSN-7MOSFET P-CH 30V 3A SC59
    76Кешбэк 11 баллов
    DMP1022UFDF-7MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
    137Кешбэк 20 баллов
    DMN601TK-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
    48Кешбэк 7 баллов
    DMG3415UFY4Q-7MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
    117Кешбэк 17 баллов
    DMP2066LSN-7MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
    132Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП