Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD25N06S240ATMA2
  • В избранное
  • В сравнение
IPD25N06S240ATMA2

IPD25N06S240ATMA2

IPD25N06S240ATMA2
;
IPD25N06S240ATMA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD25N06S240ATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31Все характеристики

Минимальная цена IPD25N06S240ATMA2 при покупке от 1 шт 206.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD25N06S240ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD25N06S240ATMA2

IPD25N06S240ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение блокировки (VDS(on)): 55 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 29 А
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор MOSFET
    • Объемный диэлектрик: SiO2
    • Контейнер: TO252-31
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый сопротивление в ON-режиме (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективное управление током
    • Минимальное влияние на частоту работы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимость использования радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в силовых системах
    • Снижение потерь энергии в электронахических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для промышленного оборудования
    • Питательных преобразователях для бытовой техники
    • Системах питания серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики IPD25N06S240ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 26µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    513 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD25N06

Техническая документация

 IPD25N06S240ATMA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 1958 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    206 ₽
  • 10
    144 ₽
  • 500
    81 ₽
  • 2500
    63 ₽
  • 10000
    56 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD25N06S240ATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31Все характеристики

Минимальная цена IPD25N06S240ATMA2 при покупке от 1 шт 206.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD25N06S240ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD25N06S240ATMA2

IPD25N06S240ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение блокировки (VDS(on)): 55 В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 29 А
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор MOSFET
    • Объемный диэлектрик: SiO2
    • Контейнер: TO252-31
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый сопротивление в ON-режиме (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективное управление током
    • Минимальное влияние на частоту работы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимость использования радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в силовых системах
    • Снижение потерь энергии в электронахических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для промышленного оборудования
    • Питательных преобразователях для бытовой техники
    • Системах питания серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики IPD25N06S240ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 13A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 26µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    513 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD25N06

Техническая документация

 IPD25N06S240ATMA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFR420APBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    IRFU210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
    197Кешбэк 29 баллов
    SIR172ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
    138Кешбэк 20 баллов
    SI4128DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
    121Кешбэк 18 баллов
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    232Кешбэк 34 балла
    SIA432DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    248Кешбэк 37 баллов
    SI3473CDV-T1-E3MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
    200Кешбэк 30 баллов
    SI1467DH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
    191Кешбэк 28 баллов
    SI8472DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
    121Кешбэк 18 баллов
    IRFD320PBFMOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
    471Кешбэк 70 баллов
    SI7636DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
    232Кешбэк 34 балла
    IRFR020TRPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    SI7634BDP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    521Кешбэк 78 баллов
    SIRA02DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    348Кешбэк 52 балла
    SISA10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
    243Кешбэк 36 баллов
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    903Кешбэк 135 баллов
    SI7686DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    412Кешбэк 61 балл
    SI8812DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
    123Кешбэк 18 баллов
    SI7456DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
    646Кешбэк 96 баллов
    SI7430DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
    727Кешбэк 109 баллов
    IRFR9014TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    234Кешбэк 35 баллов
    IRFR014TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    250Кешбэк 37 баллов
    SIB422EDK-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    140Кешбэк 21 балл
    SI3430DV-T1-E3MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    329Кешбэк 49 баллов
    SIR698DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
    340Кешбэк 51 балл
    SI4485DY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    184Кешбэк 27 баллов
    SIE818DF-T1-E3MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
    909Кешбэк 136 баллов
    SI4464DY-T1-E3MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
    406Кешбэк 60 баллов
    IRF620SPBFMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
    511Кешбэк 76 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП