Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPD50P03P4L11ATMA2
  • В избранное
  • В сравнение
IPD50P03P4L11ATMA2

IPD50P03P4L11ATMA2

IPD50P03P4L11ATMA2
;
IPD50P03P4L11ATMA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPD50P03P4L11ATMA2
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31Все характеристики

Минимальная цена IPD50P03P4L11ATMA2 при покупке от 1 шт 253.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD50P03P4L11ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD50P03P4L11ATMA2

IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON Транзистор: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 50 А
    • Количество выводов: 31
    • Форма корпуса: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малые потери энергии при работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокого тока
    • Высокие требования к размещению и термическим мостам
    • Необходимо соблюдать правила безопасности при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение больших токов
    • Изоляция между различными цепями
    • Снижение уровня шума в системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Промышленные контроллеры
    • Электронные блоки питания
    • Системы управления нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики IPD50P03P4L11ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 85µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +5V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3770 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    58W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD50P03
  • 4153 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    253 ₽
  • 10
    160 ₽
  • 100
    125 ₽
  • 500
    95 ₽
  • 1000
    85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPD50P03P4L11ATMA2
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31Все характеристики

Минимальная цена IPD50P03P4L11ATMA2 при покупке от 1 шт 253.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD50P03P4L11ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD50P03P4L11ATMA2

IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON Транзистор: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 50 А
    • Количество выводов: 31
    • Форма корпуса: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Устойчивость к скачкам напряжения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малые потери энергии при работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокого тока
    • Высокие требования к размещению и термическим мостам
    • Необходимо соблюдать правила безопасности при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение больших токов
    • Изоляция между различными цепями
    • Снижение уровня шума в системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Промышленные контроллеры
    • Электронные блоки питания
    • Системы управления нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики IPD50P03P4L11ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 85µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +5V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3770 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    58W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD50P03

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD86381-F085MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
    125Кешбэк 18 баллов
    MTD5N25E1NFET DPAK 250V 1.0R
    126Кешбэк 18 баллов
    MTB60N05HDLT4N-CHANNEL POWER MOSFET
    128Кешбэк 19 баллов
    2SK4098LSN-CHANNEL POWER MOSFET
    128Кешбэк 19 баллов
    NTMFS6D1N08HT1GMOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
    128Кешбэк 19 баллов
    SVD2955T4GMOSFET P-CH 60V 12A DPAK
    130Кешбэк 19 баллов
    NTMFS5C430NT1GMOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
    130Кешбэк 19 баллов
    NTTFS020N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
    130Кешбэк 19 баллов
    NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
    132Кешбэк 19 баллов
    NTMFS4C028NT1GMOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
    134Кешбэк 20 баллов
    NTTFS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    136Кешбэк 20 баллов
    FQP3N50C-F080MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
    138Кешбэк 20 баллов
    NVTFS6H880NTAGMOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
    138Кешбэк 20 баллов
    NTR3A052PZT1GMOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
    139Кешбэк 20 баллов
    NTTFS5C460NLTAGMOSFET N CH 40V 19A/74A 8WDFN
    141Кешбэк 21 балл
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    NTTFS016N06CTAGMOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
    143Кешбэк 21 балл
    2SK4101FSN-CHANNEL POWER MOSFET
    145Кешбэк 21 балл
    MTB9N25ET4N-CHANNEL POWER MOSFET
    145Кешбэк 21 балл
    FCPF600N65S3R0LMOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
    147Кешбэк 22 балла
    MTB16N25ET4N-CHANNEL POWER MOSFET
    149Кешбэк 22 балла
    FCPF250N65S3R0LMOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
    149Кешбэк 22 балла
    NTMFS024N06CT1GMOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
    149Кешбэк 22 балла
    NVATS5A113PLZT4GMOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
    151Кешбэк 22 балла
    NTTFS5C670NLTWGMOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
    151Кешбэк 22 балла
    FQU4N50TU-WSMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
    152Кешбэк 22 балла
    NVTFS070N10MCLTAGPTNG 100V LL U8FL
    152Кешбэк 22 балла
    NTTFS5C466NLTAGMOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
    156Кешбэк 23 балла
    NTLJS5D0N03CTAGMOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
    158Кешбэк 23 балла
    FDB9409-F085MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    158Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП