Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1
;
IPD60N10S412ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPD60N10S412ATMA1 при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60N10S412ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 100 В
  • Номинальная токовая характеристика ID: 60 А
  • Тип корпуса: TO252-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству и тестированию.
  • Малый сопротивление при прохождении тока RDSON, что обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса.
  • Широкий диапазон рабочих температур.

Основные недостатки:

  • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными компонентами других производителей.
  • Расположение выводов корпуса может быть неудобным для некоторых дизайнеров.

Общее назначение: IPD60N10S412ATMA1 используется в различных электронных устройствах, где требуется управляемое пропускание высоких токов при низком сопротивлении. Это может включать:

  • Системы управления двигателем
  • Приводы двигателей
  • Инверторы
  • Питание мощного оборудования
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60N10S412ATMA1

Техническая документация

IPD60N10S412ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 5563 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    226 ₽
  • 10
    170 ₽
  • 500
    131 ₽
  • 2500
    101 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPD60N10S412ATMA1 при покупке от 1 шт 226.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60N10S412ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 100 В
  • Номинальная токовая характеристика ID: 60 А
  • Тип корпуса: TO252-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность благодаря качественному производству и тестированию.
  • Малый сопротивление при прохождении тока RDSON, что обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса.
  • Широкий диапазон рабочих температур.

Основные недостатки:

  • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными компонентами других производителей.
  • Расположение выводов корпуса может быть неудобным для некоторых дизайнеров.

Общее назначение: IPD60N10S412ATMA1 используется в различных электронных устройствах, где требуется управляемое пропускание высоких токов при низком сопротивлении. Это может включать:

  • Системы управления двигателем
  • Приводы двигателей
  • Инверторы
  • Питание мощного оборудования
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60N10S412ATMA1

Техническая документация

IPD60N10S412ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории