Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPD60R280P7SAUMA1
IPD60R280P7SAUMA1

IPD60R280P7SAUMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD60R280P7SAUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD60R280P7SAUMA1 при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R280P7SAUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R280P7SAUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 190µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    761 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    53W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD60R

Техническая документация

 IPD60R280P7SAUMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 6387 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    265 ₽
  • 10
    177 ₽
  • 500
    96 ₽
  • 2500
    77 ₽
  • 7500
    66 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD60R280P7SAUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD60R280P7SAUMA1 при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R280P7SAUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R280P7SAUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 190µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    761 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    53W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD60R

Техническая документация

 IPD60R280P7SAUMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIHF540S-GE3MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    428Кешбэк 64 балла
    NTMFS034N15MCMOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
    285Кешбэк 42 балла
    ISC022N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TSON-8
    860Кешбэк 129 баллов
    NTMYS3D3N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
    606Кешбэк 90 баллов
    PMPB20SNAXPMPB20SNA - 40V, N-CHANNEL TRENC
    31Кешбэк 4 балла
    SIHA11N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 12A TO220
    384Кешбэк 57 баллов
    HUF76443S3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    347Кешбэк 52 балла
    EPC2021GANFET N-CH 80V 90A DIE
    1 859Кешбэк 278 баллов
    IRF122N-CHANNEL POWER MOSFET
    197Кешбэк 29 баллов
    MCB130N10Y-TPMOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
    533Кешбэк 79 баллов
    BSC030N04NSGATMA1MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
    107Кешбэк 16 баллов
    IPD60R170CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 14A TO252-3
    538Кешбэк 80 баллов
    2SK3991-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    158Кешбэк 23 балла
    IAUC90N10S5N062ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
    432Кешбэк 64 балла
    BSC22DN20NS3GATMA1MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
    202Кешбэк 30 баллов
    FCPF150N65FMOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
    713Кешбэк 106 баллов
    TW030N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
    6 998Кешбэк 1 049 баллов
    NTBS9D0N10MCMOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
    252Кешбэк 37 баллов
    SSM3J351R,LXHFAECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
    147Кешбэк 22 балла
    DMN6017SFV-7MOSFET N-CH 60V 35A POWERDI3333
    206Кешбэк 30 баллов
    STW75N60DM6MOSFET N-CH 600V 72A TO247
    1 464Кешбэк 219 баллов
    SI6433DQP-CHANNEL MOSFET
    244Кешбэк 36 баллов
    IXFH48N60X3MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247
    2 047Кешбэк 307 баллов
    TSM60NB041PW C1GMOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
    2 651Кешбэк 397 баллов
    PJQ4408P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    151Кешбэк 22 балла
    SIR870ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
    476Кешбэк 71 балл
    SIR516DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
    468Кешбэк 70 баллов
    G3R20MT12KSIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
    6 614Кешбэк 992 балла
    SPB21N50C3ATMA1MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
    676Кешбэк 101 балл
    SIHFL9014TR-GE3MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
    195Кешбэк 29 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП