Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD65R190C7ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1
;
IPD65R190C7ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD65R190C7ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD65R190C7ATMA1 при покупке от 1 шт 516.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD65R190C7ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный с напряжением разрыва 650 В) производства Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Напряжение разрыва (VDS(on)): 650 В
  • Размер токового тока (ID(on)): 13 А
  • Пакет: TO252-3

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию передовых технологий Infineon.
  • Эффективность работы при высоких напряжениях и токах.
  • Короткозамкнутые цепи могут быть обработаны без потери производительности.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
  • Требует более сложной системы охлаждения из-за высоких температур при работе.

Общее назначение: IPD65R190C7ATMA1 используется для управления током в различных электронных устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность. Применяется в:

  • Автомобильных системах управления двигателем.
  • Промышленном оборудовании, требующем точного контроля тока.
  • Системах энергоснабжения и преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики IPD65R190C7ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 5.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 290µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1150 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    72W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD65R

Техническая документация

 IPD65R190C7ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 6705 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    516 ₽
  • 10
    306 ₽
  • 100
    246 ₽
  • 500
    226 ₽
  • 2500
    184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD65R190C7ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD65R190C7ATMA1 при покупке от 1 шт 516.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD65R190C7ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный с напряжением разрыва 650 В) производства Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Напряжение разрыва (VDS(on)): 650 В
  • Размер токового тока (ID(on)): 13 А
  • Пакет: TO252-3

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию передовых технологий Infineon.
  • Эффективность работы при высоких напряжениях и токах.
  • Короткозамкнутые цепи могут быть обработаны без потери производительности.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
  • Требует более сложной системы охлаждения из-за высоких температур при работе.

Общее назначение: IPD65R190C7ATMA1 используется для управления током в различных электронных устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность. Применяется в:

  • Автомобильных системах управления двигателем.
  • Промышленном оборудовании, требующем точного контроля тока.
  • Системах энергоснабжения и преобразователях.
Выбрано: Показать

Характеристики IPD65R190C7ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 5.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 290µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1150 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    72W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD65R

Техническая документация

 IPD65R190C7ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPZ40N04S5L4R8ATMA1MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    165Кешбэк 24 балла
    IRFU3607PBFMOSFET N-CH 75V 56A IPAK
    128Кешбэк 19 баллов
    IPL65R230C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
    559Кешбэк 83 балла
    BSP125H6433XTMA1MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    89Кешбэк 13 баллов
    IRF6619TR1MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
    333Кешбэк 49 баллов
    IRFR4615TRLPBFMOSFET N-CH 150V 33A DPAK
    291Кешбэк 43 балла
    IPB100N08S207ATMA1MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
    481Кешбэк 72 балла
    IPB100N04S303ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
    431Кешбэк 64 балла
    BSZ031NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
    250Кешбэк 37 баллов
    IPD60R380P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    357Кешбэк 53 балла
    BSZ180P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
    133Кешбэк 19 баллов
    IPD90N08S405ATMA1MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    363Кешбэк 54 балла
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    422Кешбэк 63 балла
    IRF7240TRPBFMOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFS4229TRLPBFMOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
    803Кешбэк 120 баллов
    IRFH5301TRPBFMOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
    331Кешбэк 49 баллов
    IRFB4020PBFMOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
    307Кешбэк 46 баллов
    IPB031N08N5ATMA1MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    709Кешбэк 106 баллов
    IRFR6215TRPBFMOSFET P-CH 150V 13A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    IPD65R190C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
    515Кешбэк 77 баллов
    IRFL4310TRPBFMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
    176Кешбэк 26 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    416Кешбэк 62 балла
    IPB020N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    1 094Кешбэк 164 балла
    BSP295H6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
    187Кешбэк 28 баллов
    BSC265N10LSFGATMA1MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
    233Кешбэк 34 балла
    IPU60R2K1CEBKMA1MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
    42.6Кешбэк 6 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    BSP129H6327XTSA1MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
    165Кешбэк 24 балла
    IRLS3036TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
    798Кешбэк 119 баллов
    BSC0908NSN-CHANNEL POWER MOSFET
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП