Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1
;
IPD80R1K2P7ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPD80R1K2P7ATMA1 при покупке от 1 шт 220.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD80R1K2P7ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных MOSFET с номинальным напряжением блокировки 800В и током стока при Uce=0В равным 4,5А.

  • Номинальное напряжение блокировки: 800В
  • Ток стока при Uce=0В: 4,5А
  • Тип: N-канальный
  • Пакет: TO252-3

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Конструктивно обладает низким коэффициентом сопротивления, что обеспечивает низкое энергопотребление.
  • Высокая скорость переключения, что улучшает эффективность работы в цифровых и аналоговых системах.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Необходимость использования дополнительного радиатора для охлаждения при высоких нагрузках.

Общее назначение: IPD80R1K2P7ATMA1 используется в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими напряжениями и токами. Это включает:

  • Преобразователи питания
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IPD80R1K2P7ATMA1

Техническая документация

IPD80R1K2P7ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 8737 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    220 ₽
  • 10
    155 ₽
  • 500
    97 ₽
  • 2500
    68 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPD80R1K2P7ATMA1 при покупке от 1 шт 220.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD80R1K2P7ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных MOSFET с номинальным напряжением блокировки 800В и током стока при Uce=0В равным 4,5А.

  • Номинальное напряжение блокировки: 800В
  • Ток стока при Uce=0В: 4,5А
  • Тип: N-канальный
  • Пакет: TO252-3

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Конструктивно обладает низким коэффициентом сопротивления, что обеспечивает низкое энергопотребление.
  • Высокая скорость переключения, что улучшает эффективность работы в цифровых и аналоговых системах.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Необходимость использования дополнительного радиатора для охлаждения при высоких нагрузках.

Общее назначение: IPD80R1K2P7ATMA1 используется в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими напряжениями и токами. Это включает:

  • Преобразователи питания
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IPD80R1K2P7ATMA1

Техническая документация

IPD80R1K2P7ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории