Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD80R2K7C3AATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1
;
IPD80R2K7C3AATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD80R2K7C3AATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD80R2K7C3AATMA1 при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD80R2K7C3AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток, IDS(on): 80 A
    • Рейтингное напряжение, VDS: 2000 V
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TO252-3
    • Частота переключения: до 100 kHz
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический сопротивление при включении
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Компенсация тока в сетях переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Системах управления двигателем
    • Промышленном оборудовании
    • Энергоэффективных системах
Выбрано: Показать

Характеристики IPD80R2K7C3AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7Ohm @ 1.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    42W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD80R2

Техническая документация

 IPD80R2K7C3AATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 631 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    361 ₽
  • 10
    231 ₽
  • 100
    155 ₽
  • 1000
    115 ₽
  • 5000
    94 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD80R2K7C3AATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD80R2K7C3AATMA1 при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD80R2K7C3AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток, IDS(on): 80 A
    • Рейтингное напряжение, VDS: 2000 V
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TO252-3
    • Частота переключения: до 100 kHz
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический сопротивление при включении
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Компенсация тока в сетях переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Системах управления двигателем
    • Промышленном оборудовании
    • Энергоэффективных системах
Выбрано: Показать

Характеристики IPD80R2K7C3AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7Ohm @ 1.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.9V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    42W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD80R2

Техническая документация

 IPD80R2K7C3AATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDMS86520Транзистор: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
    149Кешбэк 22 балла
    FDPF5N50NZFMOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
    232Кешбэк 34 балла
    AUIRF1018ESAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    288Кешбэк 43 балла
    AUIRFZ34NAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
    203Кешбэк 30 баллов
    HUF76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    135Кешбэк 20 баллов
    FDS4685MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
    169Кешбэк 25 баллов
    FDPF8N50NZUMOSFET N-CH 500V 6.5A TO220F
    178Кешбэк 26 баллов
    VP2110K1-GMOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
    154Кешбэк 23 балла
    SSM6K781G,LFMOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
    95Кешбэк 14 баллов
    2SK3541T2LMOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
    71Кешбэк 10 баллов
    RUM001L02T2CLMOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
    54Кешбэк 8 баллов
    FDN86246MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
    247Кешбэк 37 баллов
    SI7716ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
    284Кешбэк 42 балла
    NVD4804NT4GMOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
    122Кешбэк 18 баллов
    IPD65R600C6BTMA1MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
    169Кешбэк 25 баллов
    BSO065N03MSGXUMA1
    80Кешбэк 12 баллов
    SFT1431-WMOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP
    76Кешбэк 11 баллов
    IRLR2908TRPBFMOSFET N-CH 80V 30A DPAK
    346Кешбэк 51 балл
    IPZ40N04S5L7R4ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    94Кешбэк 14 баллов
    IPP80N04S2L03AKSA1MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
    323Кешбэк 48 баллов
    SIB433EDK-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    146Кешбэк 21 балл
    FDD6780MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
    74Кешбэк 11 баллов
    RJK0701DPN-E0#T2MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
    808Кешбэк 121 балл
    IPB120N10S405ATMA1MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    574Кешбэк 86 баллов
    ISL9N303AS3MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    571Кешбэк 85 баллов
    NVTFS5116PLTWGMOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
    205Кешбэк 30 баллов
    SIA459EDJ-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
    139Кешбэк 20 баллов
    PHT6NQ10T,135MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
    128Кешбэк 19 баллов
    BUK9675-100A,118MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
    296Кешбэк 44 балла
    HUF76009D3STMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
    74Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП