Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD90N04S403ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1
;
IPD90N04S403ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD90N04S403ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD90N04S403ATMA1 при покупке от 1 шт 106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD90N04S403ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, тип N-канальный с напряжением ввода 40В и током непрерывного тока 90А. Упаковка TO252-3.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение ввода: 40В
    • Ток непрерывного тока: 90А
    • Упаковка: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое сопротивление
    • Долгий срок службы из-за отсутствия контактов
    • Минимальное влияние на частоту работы
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с управляющим сигналом при больших нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила установки и подключения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Снижение потерь энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Интерфейсы питания
    • Цифровые системы управления

Выбрано: Показать

Характеристики IPD90N04S403ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 90A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 53µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5260 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    94W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-313
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD90N

Техническая документация

 IPD90N04S403ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 19150 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    106 ₽
  • 100
    95 ₽
  • 1000
    93 ₽
  • 5000
    86 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD90N04S403ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD90N04S403ATMA1 при покупке от 1 шт 106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD90N04S403ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, тип N-канальный с напряжением ввода 40В и током непрерывного тока 90А. Упаковка TO252-3.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение ввода: 40В
    • Ток непрерывного тока: 90А
    • Упаковка: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое сопротивление
    • Долгий срок службы из-за отсутствия контактов
    • Минимальное влияние на частоту работы
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с управляющим сигналом при больших нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила установки и подключения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Снижение потерь энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Интерфейсы питания
    • Цифровые системы управления

Выбрано: Показать

Характеристики IPD90N04S403ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 90A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 53µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5260 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    94W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-313
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD90N

Техническая документация

 IPD90N04S403ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD25480F3MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
    63Кешбэк 9 баллов
    FQP13N06MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
    76Кешбэк 11 баллов
    FDS3570MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
    452Кешбэк 67 баллов
    HUFA75321D3STN-CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36
    95Кешбэк 14 баллов
    SI2302CDS-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
    80Кешбэк 12 баллов
    IPD50N04S309ATMA1MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
    177Кешбэк 26 баллов
    FQN1N60CTAMOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
    46.5Кешбэк 6 баллов
    FDFMA3N109MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
    58Кешбэк 8 баллов
    DMP56D0UFB-7BMOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
    76Кешбэк 11 баллов
    IRF9510PBFMOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
    97Кешбэк 14 баллов
    IRLML6246TRPBFMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
    67Кешбэк 10 баллов
    SCH1337-TL-WMOSFET P-CH 30V 2A SOT563/SCH6
    31.6Кешбэк 4 балла
    NX3008PBK,215MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
    37Кешбэк 5 баллов
    AON7418MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN
    305Кешбэк 45 баллов
    SI2318DS-T1-E3MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
    147Кешбэк 22 балла
    SPB80N03S2L-05MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
    86Кешбэк 12 баллов
    DMN62D0LFD-7MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
    20.4Кешбэк 3 балла
    NTD3817NT4GMOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK
    43Кешбэк 6 баллов
    CPH6347-TL-WMOSFET P-CH 20V 6A 6CPH
    43Кешбэк 6 баллов
    FDMS8670MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
    236Кешбэк 35 баллов
    AON7522EMOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
    156Кешбэк 23 балла
    PMXB65ENEZMOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
    125Кешбэк 18 баллов
    NTLJS2103PTAGMOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
    80Кешбэк 12 баллов
    SSM6J501NU,LFMOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN2011UFDE-7MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
    115Кешбэк 17 баллов
    6HP04CH-TL-WMOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
    71Кешбэк 10 баллов
    NDH832PMOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
    102Кешбэк 15 баллов
    FDMS7678MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
    173Кешбэк 25 баллов
    CPH3350-TL-WMOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
    43Кешбэк 6 баллов
    FDS7788MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
    495Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП