Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPDD60R102G7XTMA1

IPDD60R102G7XTMA1

IPDD60R102G7XTMA1
;
IPDD60R102G7XTMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPDD60R102G7XTMA1 при покупке от 1 шт 974.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPDD60R102G7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPDD60R102G7XTMA1

IPDD60R102G7XTMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с следующими характеристиками:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 600 В
  • Номинальный ток нагрузки (ID(on)): 23 А
  • Форм-фактор корпуса: HDSOP-10

Основные плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность.
  • Высокий коэффициент передачи (low RDS(on)).
  • Малый размер и легкость.
  • Высокая частота работы.

Основные минусы:

  • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требует правильной теплоотводной системы для эффективной работы.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах: преобразователи напряжения, инверторы, стабилизаторы напряжения, блоки питания.
  • Применение в системах управления: приводы двигателей, системы управления скоростью.
  • Работа в сетях переменного тока: резервные источники питания, инверторы.
Выбрано: Показать

Характеристики IPDD60R102G7XTMA1

Техническая документация

IPDD60R102G7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1595 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    974 ₽
  • 10
    649 ₽
  • 100
    464 ₽
  • 500
    445 ₽
  • 1700
    363 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPDD60R102G7XTMA1 при покупке от 1 шт 974.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPDD60R102G7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPDD60R102G7XTMA1

IPDD60R102G7XTMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с следующими характеристиками:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 600 В
  • Номинальный ток нагрузки (ID(on)): 23 А
  • Форм-фактор корпуса: HDSOP-10

Основные плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность.
  • Высокий коэффициент передачи (low RDS(on)).
  • Малый размер и легкость.
  • Высокая частота работы.

Основные минусы:

  • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требует правильной теплоотводной системы для эффективной работы.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах: преобразователи напряжения, инверторы, стабилизаторы напряжения, блоки питания.
  • Применение в системах управления: приводы двигателей, системы управления скоростью.
  • Работа в сетях переменного тока: резервные источники питания, инверторы.
Выбрано: Показать

Характеристики IPDD60R102G7XTMA1

Техническая документация

IPDD60R102G7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории