IPI100N04S3-03

IPI100N04S3-03 Infineon Technologies N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• Рейтингный ток Id: 100 А
• Рейтингное напряжение Vds: 120 В
• Резистивность Rds(on): 6.8 мОм при 25°C
• Питательное сопротивление Qg: 27 нКл
• Температурный коэффициент Rds(on): +3 мОм/°C
• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком питательном сопротивлении
• Низкое питательное сопротивление Rds(on)
• Высокая надежность и стабильность характеристик
• Малый размер и легкий вес
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
• Требует более сложного проектирования системы охлаждения из-за высокой мощности
• Общее назначение:
• Использование в силовых электронных устройствах
• Применяется в системах питания и преобразователях
• Подходит для управления током в электроприборах и машинах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Промышленное оборудование
• Системы энергоснабжения и управления
• Электроприборы
• Преобразователи напряжения