Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1
;
IPI320N20N3GAKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPI320N20N3GAKSA1 при покупке от 6 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPI320N20N3GAKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 200В 34А TO262-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение на разряд: 200В
    • Номинальный ток прямого тока: 34А
    • Форм-фактор: TO262-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток сопротивления (RDSON)
    • Соответствие стандартам качества Infineon Technologies
    • Устойчивость к износу и перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Необходимость использования охлаждения для больших токов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных цепях
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
    • Системы управления двигателем
    • Смарт-дом
Выбрано: Показать

Характеристики IPI320N20N3GAKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32mOhm @ 34A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IPI320

Техническая документация

IPI320N20N3GAKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 6 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPI320N20N3GAKSA1 при покупке от 6 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPI320N20N3GAKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 200В 34А TO262-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение на разряд: 200В
    • Номинальный ток прямого тока: 34А
    • Форм-фактор: TO262-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток сопротивления (RDSON)
    • Соответствие стандартам качества Infineon Technologies
    • Устойчивость к износу и перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Необходимость использования охлаждения для больших токов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных цепях
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
    • Системы управления двигателем
    • Смарт-дом
Выбрано: Показать

Характеристики IPI320N20N3GAKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32mOhm @ 34A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IPI320

Техническая документация

IPI320N20N3GAKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 6 шт