Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPI80N06S2L05AKSA2

IPI80N06S2L05AKSA2

IPI80N06S2L05AKSA2
;
IPI80N06S2L05AKSA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPI80N06S2L05AKSA2 при покупке от 166 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPI80N06S2L05AKSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPI80N06S2L05AKSA2

IPI80N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 — это норамальный каналный MOSFET (полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 55 В
  • Номинальная токовая способность ID: 80 А
  • Пакет: TO262-3

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения
  • Малые потери при прохождении тока
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Малый размер и легкость пакета TO262-3

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких токах
  • Возможны проблемы с эрозией контактов при частых переключениях

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность. Может применяться в:

  • Инверторах питания
  • Стабилизаторах напряжения
  • Драйверах для двигателей
  • Регуляторах тока
  • Компьютерной технике
  • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики IPI80N06S2L05AKSA2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    230 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3-1
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IPI80N

Техническая документация

IPI80N06S2L05AKSA2.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 166 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPI80N06S2L05AKSA2 при покупке от 166 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPI80N06S2L05AKSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPI80N06S2L05AKSA2

IPI80N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 — это норамальный каналный MOSFET (полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 55 В
  • Номинальная токовая способность ID: 80 А
  • Пакет: TO262-3

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения
  • Малые потери при прохождении тока
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Малый размер и легкость пакета TO262-3

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких токах
  • Возможны проблемы с эрозией контактов при частых переключениях

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность. Может применяться в:

  • Инверторах питания
  • Стабилизаторах напряжения
  • Драйверах для двигателей
  • Регуляторах тока
  • Компьютерной технике
  • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики IPI80N06S2L05AKSA2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    230 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5700 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3-1
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IPI80N

Техническая документация

IPI80N06S2L05AKSA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 166 шт