Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPN60R1K0CEATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPN60R1K0CEATMA1

IPN60R1K0CEATMA1

IPN60R1K0CEATMA1
;
IPN60R1K0CEATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPN60R1K0CEATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223Все характеристики

Минимальная цена IPN60R1K0CEATMA1 при покупке от 1 шт 105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPN60R1K0CEATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPN60R1K0CEATMA1

IPN60R1K0CEATMA1 — это MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 6.8 В
  • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 600 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 6.8 А
  • Пакет: SOT223

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологий Infineon.
  • Компактный размер благодаря SOT223 пакету.
  • Высокая скорость переключения благодаря низкому коэффициенту динамического сопротивления.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей.
  • Требует внимания к проектированию для обеспечения надлежащего охлаждения.

Общее назначение:

  • Используется в различных приложениях, где требуется управление током при высоком напряжении.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других электронных устройствах.

Применяется в:

  • Источниках питания для компьютеров и серверов.
  • Автомобильных системах.
  • Преобразователях напряжения для бытовой техники.
  • Инверторах для солнечных батарей.
Выбрано: Показать

Характеристики IPN60R1K0CEATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    280 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-3
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    IPN60R1

Техническая документация

 IPN60R1K0CEATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 862 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    105 ₽
  • 100
    60 ₽
  • 1000
    47 ₽
  • 6000
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPN60R1K0CEATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223Все характеристики

Минимальная цена IPN60R1K0CEATMA1 при покупке от 1 шт 105.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPN60R1K0CEATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPN60R1K0CEATMA1

IPN60R1K0CEATMA1 — это MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 6.8 В
  • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 600 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 6.8 А
  • Пакет: SOT223

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологий Infineon.
  • Компактный размер благодаря SOT223 пакету.
  • Высокая скорость переключения благодаря низкому коэффициенту динамического сопротивления.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей.
  • Требует внимания к проектированию для обеспечения надлежащего охлаждения.

Общее назначение:

  • Используется в различных приложениях, где требуется управление током при высоком напряжении.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других электронных устройствах.

Применяется в:

  • Источниках питания для компьютеров и серверов.
  • Автомобильных системах.
  • Преобразователях напряжения для бытовой техники.
  • Инверторах для солнечных батарей.
Выбрано: Показать

Характеристики IPN60R1K0CEATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    280 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-3
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    IPN60R1

Техническая документация

 IPN60R1K0CEATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM038N04LCP ROGMOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252
    155Кешбэк 23 балла
    TSM4NB65CP ROGMOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
    226Кешбэк 33 балла
    TQM130NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
    240Кешбэк 36 баллов
    TQM110NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
    203Кешбэк 30 баллов
    TSM220NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
    120Кешбэк 18 баллов
    TSM018NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
    411Кешбэк 61 балл
    TSM3457CX6 RFGMOSFET P-CHANNEL 30V 5A SOT26
    148Кешбэк 22 балла
    TSM500P02CX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
    75Кешбэк 11 баллов
    TSM090N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
    180Кешбэк 27 баллов
    BSS123W RFGТранзистор: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
    41Кешбэк 6 баллов
    TSM850N06CX RFGMOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
    103Кешбэк 15 баллов
    TSM2323CX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
    215Кешбэк 32 балла
    TSM4806CS RLGТранзистор: MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
    87Кешбэк 13 баллов
    TSM60NB380CP ROGMOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
    392Кешбэк 58 баллов
    TSM900N06CW RPGMOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
    109Кешбэк 16 баллов
    TSM2314CX RFGMOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
    168Кешбэк 25 баллов
    TSM2318CX RFGMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
    188Кешбэк 28 баллов
    TSM70N900CP ROGMOSFET N-CH 700V 4.5A TO252
    550Кешбэк 82 балла
    TSM060N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    166Кешбэк 24 балла
    TSM2306CX RFGMOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
    107Кешбэк 16 баллов
    TSM80N950CP ROGMOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
    714Кешбэк 107 баллов
    BSS138-TPMOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
    21.3Кешбэк 3 балла
    SI2333-TPMOSFET P-CH 12V 6A SOT23
    51Кешбэк 7 баллов
    SI2302A-TPMOSFET N-CH 20V 3A SOT23
    96Кешбэк 14 баллов
    SI2305B-TPMOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
    71Кешбэк 10 баллов
    BSS84K-TPMOSFET P-CH 60V 130MA SOT23
    38.6Кешбэк 5 баллов
    BSS138W-TPMOSFET N-CH 50V 220MA SOT323
    41Кешбэк 6 баллов
    SI3402-TPMOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23
    75Кешбэк 11 баллов
    SI2307-TPMOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
    75Кешбэк 11 баллов
    2SK3019-TPMOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП