Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPN60R360P7SATMA1
IPN60R360P7SATMA1

IPN60R360P7SATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPN60R360P7SATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223Все характеристики

Минимальная цена IPN60R360P7SATMA1 при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPN60R360P7SATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPN60R360P7SATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 2.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 140µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    555 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    IPN60R

Техническая документация

 IPN60R360P7SATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 12545 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    198 ₽
  • 10
    139 ₽
  • 500
    76 ₽
  • 3000
    58 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPN60R360P7SATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223Все характеристики

Минимальная цена IPN60R360P7SATMA1 при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPN60R360P7SATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPN60R360P7SATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 2.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 140µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    555 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    IPN60R

Техническая документация

 IPN60R360P7SATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MCQ4822-TPMOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOP
    163Кешбэк 24 балла
    NVMFS6H848NLWFT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
    205Кешбэк 30 баллов
    SQ2361ES-T1_BE3MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
    185Кешбэк 27 баллов
    FQB46N15TMN-CHANNEL POWER MOSFET
    268Кешбэк 40 баллов
    NVMYS003N08LHTWGT8 80V LL LFPAK
    547Кешбэк 82 балла
    SI3420A-TPMOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
    79Кешбэк 11 баллов
    BSS123W RFGТранзистор: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
    41Кешбэк 6 баллов
    NVTFS014P04M8LTAGMOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
    226Кешбэк 33 балла
    MMFTN123MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    29.4Кешбэк 4 балла
    BUK6D77-60EXMOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
    76Кешбэк 11 баллов
    GT100N12D5N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
    375Кешбэк 56 баллов
    SQD100N04-3M6L_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
    379Кешбэк 56 баллов
    RJ1G08CGNTLLMOSFET N-CH 40V 80A LPTL
    529Кешбэк 79 баллов
    SISS28DN-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
    266Кешбэк 39 баллов
    NVTFS016N06CTAGMOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
    281Кешбэк 42 балла
    2SK4146-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    325Кешбэк 48 баллов
    IRFS640AN-CHANNEL POWER MOSFET
    135Кешбэк 20 баллов
    SIUD412ED-T1-GE3MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
    44Кешбэк 6 баллов
    GT088N06TN60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
    259Кешбэк 38 баллов
    SSM3J375F,LFMOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
    63Кешбэк 9 баллов
    AOB125A60LMOSFET N-CH 600V 28A TO263
    978Кешбэк 146 баллов
    IPP80N08S2L07AKSA1MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
    610Кешбэк 91 балл
    IPW60R125CPFKSA1MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
    1 364Кешбэк 204 балла
    UPA2731T1A-E1-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
    399Кешбэк 59 баллов
    ISC030N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TDSON-8
    654Кешбэк 98 баллов
    TK4K1A60F,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    244Кешбэк 36 баллов
    RSR010N10HZGTLMOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
    176Кешбэк 26 баллов
    IXFH46N65X3MOSFET 46A 650V X3 TO247
    1 882Кешбэк 282 балла
    DMN6068SEQ-13MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
    211Кешбэк 31 балл
    SISA72DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
    270Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП