Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1
;
IPN60R600P7SATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPN60R600P7SATMA1 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPN60R600P7SATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1 — это MOSFET от компании Infineon Technologies. Это непроводящий полупроводниковый транзистор N-канального типа с напряжением блокировки 600 В и током непроводящего состояния 6 А, корпуса SOT223.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS(ON)): 600 В
    • Ток непроводящего состояния (ID): 6 А
    • Корпус: SOT223
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки
    • Низкий ток непроводящего состояния
    • Малый размер корпуса
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила монтажа для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при напряжении до 600 В. Применяется в:

  • Питательных системах
  • Инверторах
  • Приводах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Энергосберегающих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IPN60R600P7SATMA1

Техническая документация

IPN60R600P7SATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4816 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    202 ₽
  • 10
    126 ₽
  • 500
    65 ₽
  • 3000
    50 ₽
  • 9000
    42.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPN60R600P7SATMA1 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPN60R600P7SATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1 — это MOSFET от компании Infineon Technologies. Это непроводящий полупроводниковый транзистор N-канального типа с напряжением блокировки 600 В и током непроводящего состояния 6 А, корпуса SOT223.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS(ON)): 600 В
    • Ток непроводящего состояния (ID): 6 А
    • Корпус: SOT223
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки
    • Низкий ток непроводящего состояния
    • Малый размер корпуса
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила монтажа для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при напряжении до 600 В. Применяется в:

  • Питательных системах
  • Инверторах
  • Приводах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Энергосберегающих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IPN60R600P7SATMA1

Техническая документация

IPN60R600P7SATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории