Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1
;
IPP041N12N3GXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPP041N12N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 845.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP041N12N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP041N12N3GXKSA1

ИПП041N12N3GXKSA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Этот тип MOSFET относится к классу N-канальных полупроводниковых транзисторов с напряжением блокировки 120 В и током стока 120 А.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки: 120 В
    • Ток стока: 120 А
    • Пакет: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке и использованию современных технологий производства.
    • Высокая скорость включения и выключения (быстрая переходная характеристика).
    • Малый тепловой затухание, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.
    • Малое потребление энергии в состоянии открытия.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Требует дополнительного проектирования системы охлаждения из-за возможного нагрева.
  • Общее назначение:
    • Используется для управления током в электрических цепях.
    • Подходит для высокочастотных приложений.
    • Способствует повышению эффективности преобразователей мощности.
  • Применение:
    • Автомобильные системы питания.
    • Преобразователи AC/DC и DC/DC.
    • Устройства управления двигателем.
    • Беспроводные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики IPP041N12N3GXKSA1

Техническая документация

IPP041N12N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 970 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    845 ₽
  • 10
    500 ₽
  • 100
    485 ₽
  • 500
    422 ₽
  • 1000
    359 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPP041N12N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 845.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP041N12N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP041N12N3GXKSA1

ИПП041N12N3GXKSA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Этот тип MOSFET относится к классу N-канальных полупроводниковых транзисторов с напряжением блокировки 120 В и током стока 120 А.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки: 120 В
    • Ток стока: 120 А
    • Пакет: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке и использованию современных технологий производства.
    • Высокая скорость включения и выключения (быстрая переходная характеристика).
    • Малый тепловой затухание, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.
    • Малое потребление энергии в состоянии открытия.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Требует дополнительного проектирования системы охлаждения из-за возможного нагрева.
  • Общее назначение:
    • Используется для управления током в электрических цепях.
    • Подходит для высокочастотных приложений.
    • Способствует повышению эффективности преобразователей мощности.
  • Применение:
    • Автомобильные системы питания.
    • Преобразователи AC/DC и DC/DC.
    • Устройства управления двигателем.
    • Беспроводные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики IPP041N12N3GXKSA1

Техническая документация

IPP041N12N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории