IPP114N03LGHKSA1

IPP114N03LGHKSA1 Infineon Technologies N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• Рейтингный ток (IR): 114 A
• Рейтингное напряжение (VR): 30 V
• Тип транзистора: N-канальный
• Максимальная температура: 175°C
• Количество пакетов: LGA (Land Grid Array)
• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком сопротивлении
• Устойчивость к перегреву
• Малый размер и легкий вес
• Высокая надежность и долговечность
• Эффективность в широком диапазоне рабочих условий
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева
• Могут быть проблемы при использовании на высокочастотных частях
• Общее назначение:
• Использование в системах питания
• Применение в электронных устройствах потребления энергии
• Работа в источниках питания для ноутбуков и планшетов
• Трансформаторы и преобразователи
• В каких устройствах применяется:
• Ноутбуки и планшеты
• Автомобильные системы питания
• Промышленные преобразователи
• Системы управления двигателем
• Источники питания для бытовой техники