Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPP60R105CFD7XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP60R105CFD7XKSA1

IPP60R105CFD7XKSA1

IPP60R105CFD7XKSA1
;
IPP60R105CFD7XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPP60R105CFD7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N CHВсе характеристики

Минимальная цена IPP60R105CFD7XKSA1 при покупке от 1 шт 858.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R105CFD7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R105CFD7XKSA1

IPP60R105CFD7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N CH

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения при отключении (VGS(th)): ≤ 2 V
  • Номинальная частота работы (fT): 100 kHz
  • Номинальный ток (ID(on)): 60 A
  • Максимальное напряжение (VDS(max)): 105 V
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Плюсы:

    • Высокая надежность и долговечность
  • Низкое значение порогового напряжения
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:

    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют более сложной системы охлаждения из-за высокой теплопроводности
  • Общее назначение:

    • Использование в электронных системах для управления нагрузками
  • Применение в источниках питания
  • Изготовление преобразователей напряжения
  • В каких устройствах применяется:

    • Автомобильные системы питания
  • Мобильные зарядные устройства
  • Инверторы
  • Преобразователи напряжения
  • Выбрано: Показать

    Характеристики IPP60R105CFD7XKSA1

    • Package
      Tube
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      600 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      21A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      105mOhm @ 9.3A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      4.5V @ 470µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      42 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      1752 pF @ 400 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      106W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Through Hole
    • Исполнение корпуса
      PG-TO220-3
    • Корпус
      TO-220-3
    • Base Product Number
      IPP60R105

    Техническая документация

     IPP60R105CFD7XKSA1.pdf
    pdf. 0 kb
    • 34 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      858 ₽
    • 50
      444 ₽
    • 100
      404 ₽
    • 500
      334 ₽
    • 1000
      319 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Infineon Technologies
    • Артикул:
      IPP60R105CFD7XKSA1
    • Описание:
      MOSFET N CHВсе характеристики

    Минимальная цена IPP60R105CFD7XKSA1 при покупке от 1 шт 858.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R105CFD7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание IPP60R105CFD7XKSA1

    IPP60R105CFD7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N CH

    • Основные параметры:
      • Рейтинг напряжения при отключении (VGS(th)): ≤ 2 V
    • Номинальная частота работы (fT): 100 kHz
  • Номинальный ток (ID(on)): 60 A
  • Максимальное напряжение (VDS(max)): 105 V
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Плюсы:

    • Высокая надежность и долговечность
  • Низкое значение порогового напряжения
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:

    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют более сложной системы охлаждения из-за высокой теплопроводности
  • Общее назначение:

    • Использование в электронных системах для управления нагрузками
  • Применение в источниках питания
  • Изготовление преобразователей напряжения
  • В каких устройствах применяется:

    • Автомобильные системы питания
  • Мобильные зарядные устройства
  • Инверторы
  • Преобразователи напряжения
  • Выбрано: Показать

    Характеристики IPP60R105CFD7XKSA1

    • Package
      Tube
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      600 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      21A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      105mOhm @ 9.3A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      4.5V @ 470µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      42 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±20V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      1752 pF @ 400 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      106W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Through Hole
    • Исполнение корпуса
      PG-TO220-3
    • Корпус
      TO-220-3
    • Base Product Number
      IPP60R105

    Техническая документация

     IPP60R105CFD7XKSA1.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      STW24N60M6MOSFET N-CH 600V TO247
      754Кешбэк 113 баллов
      NVMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
      2 081Кешбэк 312 баллов
      SUM90220E-GE3MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
      413Кешбэк 61 балл
      AOTF190A60CLMOSFET N-CH 600V 20A TO220F
      595Кешбэк 89 баллов
      IPB65R150CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
      797Кешбэк 119 баллов
      IRFF211N-CHANNEL POWER MOSFET
      315Кешбэк 47 баллов
      IPB60R099P7ATMA1MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
      798Кешбэк 119 баллов
      SPW15N60C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
      1 009Кешбэк 151 балл
      SQD10N30-330H_GE3MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
      328Кешбэк 49 баллов
      NTHL160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
      1 104Кешбэк 165 баллов
      SIHA21N80AEF-GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
      272Кешбэк 40 баллов
      G3R60MT07D750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
      1 879Кешбэк 281 балл
      NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
      132Кешбэк 19 баллов
      SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
      872Кешбэк 130 баллов
      DMTH8012LPSW-13MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
      241Кешбэк 36 баллов
      XP151A12A2MR-GMOSFET N-CH 20V 1A SOT23
      143Кешбэк 21 балл
      C3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
      2 464Кешбэк 369 баллов
      2SK2935-93-EN-CHANNEL POWER MOSFET
      728Кешбэк 109 баллов
      RQ5E070BNTCLMOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
      111Кешбэк 16 баллов
      FDBL86063-F085MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
      1 451Кешбэк 217 баллов
      UF3SC120016K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
      10 456Кешбэк 1 568 баллов
      IPB70N10S312ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
      685Кешбэк 102 балла
      2SJ135-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
      452Кешбэк 67 баллов
      SIHFR9310TRR-GE3MOSFET P-CHANNEL 400V
      222Кешбэк 33 балла
      BSS84-TPТранзистор: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
      37.5Кешбэк 5 баллов
      IPP024N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
      621Кешбэк 93 балла
      IPB80N06S407ATMA2MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
      333Кешбэк 49 баллов
      TSM2301ACX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
      114Кешбэк 17 баллов
      SQ2319ADS-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
      204Кешбэк 30 баллов
      NVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
      2 177Кешбэк 326 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Диодные мосты
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Принадлежности
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Полевые транзисторы - Сборки
      Тиристоры - SCR
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Симисторы
      Диоды - выпрямители - массивы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      IGBT транзисторы
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Диоды силовые
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы - IGBT - модули
      Транзисторы - Модули
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Модули драйверов питания
      Диодные мосты - Модули
      Триодные тиристоры - Одиночные
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Драйверы питания - Модули
      Триодные тиристоры - Модули
      Транзисторы - Специального назначения
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Диоды - ВЧ
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Симисторы - Модули
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Высокочастотные диоды
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
      Полевые транзисторы - Модули
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Тиристоры - TRIACs
      Варикапы и Варакторы
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Диоды - мостовые выпрямители
      Биполярные транзисторы
      Диоды выпрямительные - Модули
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Тиристоры - SCR - модули
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП