IPP65R050CFD7AAKSA1

Информация о MOSFET Infineon Technologies IPP65R050CFD7AAKSA1:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Номинальное напряжение: 650В
• Разрядная способность (I_DS(on)): 45А
• Пакет: TO220-3

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 650В указывает на то, что MOSFET может работать при напряжениях до 650В.
• Разрядная способность (I_DS(on)): 45А означает, что при рабочем режиме MOSFET может передавать ток до 45А.
• Тип: N-канальный MOSFET подходит для работы с положительным питанием.
• Пакет TO220-3: обеспечивает надежное крепление и хорошую тепловую проводимость.

Плюсы:

• Высокая разрядная способность: позволяет передавать значительный ток.
• Низкое сопротивление в режиме включения: снижает потери энергии.
• Надежность: проверенный временем производитель.
• Малый размер: подходит для компактных устройств.

Минусы:

• Требует дополнительного термопрокладки: необходима для эффективного отвода тепла.
• Сложность в выборе: большое количество параметров требует точного расчета.

Общее назначение:

• Управление электронными нагрузками: используется для управления током в различных электронных устройствах.
• Превращение напряжений: применяется в преобразователях напряжений.
• Защита от перегрузок: используется для защиты электронных систем от повреждений при перегрузках.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильная техника: например, системы управления двигателем.
• Электроника бытовых приборов: например, инверторы для холодильников или стиральных машин.
• Промышленная автоматизация: например, в системах управления приводами.