Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPP65R115CFD7AAKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP65R115CFD7AAKSA1

IPP65R115CFD7AAKSA1

IPP65R115CFD7AAKSA1
;
IPP65R115CFD7AAKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPP65R115CFD7AAKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP65R115CFD7AAKSA1 при покупке от 1 шт 912.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP65R115CFD7AAKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP65R115CFD7AAKSA1

Информация о MOSFET Infineon Technologies IPP65R115CFD7AAKSA1:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Номинальный ток: 21 А
  • Форм-фактор: TO220-3

Основные параметры:

  • Максимальное напряжение включенного состояния: 115 В
  • Максимальная температура корпуса при номинальном токе: 150 °C
  • Рабочий диапазон температур: -40 °C до +150 °C
  • Коэффициент тока: 0.038 Ω

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Низкий коэффициент тока, что снижает энергопотери
  • Способность работать при высоких температурах
  • Устойчивость к шуму и помехам

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения и тока в электронных устройствах
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Защита от перегрузок и скачков напряжения

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленных системах управления
  • Электропитании и преобразовании энергии
  • Мощных источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPP65R115CFD7AAKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 490µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP65R115

Техническая документация

 IPP65R115CFD7AAKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 335 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    912 ₽
  • 25
    474 ₽
  • 100
    441 ₽
  • 250
    439 ₽
  • 500
    358 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPP65R115CFD7AAKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP65R115CFD7AAKSA1 при покупке от 1 шт 912.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP65R115CFD7AAKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP65R115CFD7AAKSA1

Информация о MOSFET Infineon Technologies IPP65R115CFD7AAKSA1:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Номинальный ток: 21 А
  • Форм-фактор: TO220-3

Основные параметры:

  • Максимальное напряжение включенного состояния: 115 В
  • Максимальная температура корпуса при номинальном токе: 150 °C
  • Рабочий диапазон температур: -40 °C до +150 °C
  • Коэффициент тока: 0.038 Ω

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Низкий коэффициент тока, что снижает энергопотери
  • Способность работать при высоких температурах
  • Устойчивость к шуму и помехам

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения и тока в электронных устройствах
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Защита от перегрузок и скачков напряжения

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленных системах управления
  • Электропитании и преобразовании энергии
  • Мощных источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPP65R115CFD7AAKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 490µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1950 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP65R115

Техническая документация

 IPP65R115CFD7AAKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTA3N120HVMOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 582Кешбэк 237 баллов
    SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
    6 030Кешбэк 904 балла
    IMW120R020M1HXKSA1SIC DISCRETE
    3 729Кешбэк 559 баллов
    IPA60R099P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO220
    784Кешбэк 117 баллов
    SCT2450KEHRC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 231Кешбэк 334 балла
    NTHL019N60S5FSUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
    3 198Кешбэк 479 баллов
    UJ3C065080T3SТранзистор: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 945Кешбэк 291 балл
    FDA20N50-F109MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    293Кешбэк 43 балла
    IXFH36N60X3MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247
    1 751Кешбэк 262 балла
    BUK6Y19-30PXТранзистор: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
    270Кешбэк 40 баллов
    NTH4LN095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 717Кешбэк 257 баллов
    IPP60R125C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
    962Кешбэк 144 балла
    FCH041N65EF-F155MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    2 808Кешбэк 421 балл
    IRFF9122P-CHANNEL POWER MOSFET
    333Кешбэк 49 баллов
    IMW120R140M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
    1 271Кешбэк 190 баллов
    2SJ325-AYP-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
    258Кешбэк 38 баллов
    SUP10250E-GE3MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
    482Кешбэк 72 балла
    IPP70N12S311AKSA1MOSFET N-CHANNEL_100+
    726Кешбэк 108 баллов
    IMZ120R350M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
    945Кешбэк 141 балл
    IRF644PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
    335Кешбэк 50 баллов
    SQD10N30-330H_4GE3N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
    406Кешбэк 60 баллов
    RJK6014DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    915Кешбэк 137 баллов
    CSD17576Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    191Кешбэк 28 баллов
    UF3C065040B3MOSFET N-CH 650V 41A TO263
    2 846Кешбэк 426 баллов
    NVTFS5C460NLTAGMOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
    298Кешбэк 44 балла
    IPP50R250CPXKSA1LOW POWER_LEGACY
    426Кешбэк 63 балла
    IPU80R1K2P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
    152Кешбэк 22 балла
    IXTN400N15X4MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
    8 167Кешбэк 1 225 баллов
    SSM6K514NU,LFMOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
    119Кешбэк 17 баллов
    BUK9M8R5-40HXMOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
    346Кешбэк 51 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП