Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPP70N10S3L12AKSA1

IPP70N10S3L12AKSA1

IPP70N10S3L12AKSA1
;
IPP70N10S3L12AKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPP70N10S3L12AKSA1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP70N10S3L12AKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP70N10S3L12AKSA1

ИПП70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 70А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 100В
    • Номинальный ток пропускаемый при VCE=4.5В (ID(on)): 70А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкость
    • Долговечность и надежность
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать тепловые потери при работе
    • Требуется дополнительная проектировка для защиты от ударных напряжений
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоких токов при низком напряжении
    • Регулирование напряжения в различных приборах и системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Питательных блоках
    • Электронных устройствах для управления двигателей
    • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики IPP70N10S3L12AKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.1mOhm @ 70A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 83µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5550 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-1
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP70N10

Техническая документация

IPP70N10S3L12AKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPP70N10S3L12AKSA1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP70N10S3L12AKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP70N10S3L12AKSA1

ИПП70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 70А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 100В
    • Номинальный ток пропускаемый при VCE=4.5В (ID(on)): 70А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкость
    • Долговечность и надежность
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать тепловые потери при работе
    • Требуется дополнительная проектировка для защиты от ударных напряжений
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение высоких токов при низком напряжении
    • Регулирование напряжения в различных приборах и системах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Питательных блоках
    • Электронных устройствах для управления двигателей
    • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики IPP70N10S3L12AKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.1mOhm @ 70A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 83µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5550 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-1
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP70N10

Техническая документация

IPP70N10S3L12AKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории