Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPT60R050G7XTMA1
IPT60R050G7XTMA1

IPT60R050G7XTMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPT60R050G7XTMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IPT60R050G7XTMA1 при покупке от 1 шт 1607.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT60R050G7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPT60R050G7XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 15.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2670 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    245W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-2
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IPT60R050
Техническая документация
 IPT60R050G7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 5497 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 607 ₽
  • 10
    1 136 ₽
  • 100
    907 ₽
  • 2000
    741 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPT60R050G7XTMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IPT60R050G7XTMA1 при покупке от 1 шт 1607.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT60R050G7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPT60R050G7XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 15.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2670 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    245W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-2
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IPT60R050
Техническая документация
 IPT60R050G7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STB24N60M6MOSFET N-CH 600V D2PAK
    653Кешбэк 97 баллов
    DMNH10H028SCTMOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
    321Кешбэк 48 баллов
    TSM170N06PQ56 RLGMOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
    206Кешбэк 30 баллов
    2SK160A(1)-T1B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    40Кешбэк 6 баллов
    MCU45N10-TPN-CHANNEL MOSFET, DPAK
    230Кешбэк 34 балла
    FDB8870-F085MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK
    162Кешбэк 24 балла
    NVBGS6D5N15MCMOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7
    600Кешбэк 90 баллов
    SI3420A-TPMOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
    80Кешбэк 12 баллов
    TK110P10PL,RQX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    288Кешбэк 43 балла
    STP7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO220
    500Кешбэк 75 баллов
    SISS54DN-T1-GE3Транзистор: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
    352Кешбэк 52 балла
    SIHK055N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
    1 497Кешбэк 224 балла
    NVMTS0D7N04CTXGMOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
    1 478Кешбэк 221 балл
    NVMFS5C410NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
    856Кешбэк 128 баллов
    IPW60R018CFD7XKSA1MOSFET N CH
    2 902Кешбэк 435 баллов
    IPAN60R600P7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 6A TO220
    283Кешбэк 42 балла
    BSC0302LSATMA1MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
    520Кешбэк 78 баллов
    BSZ039N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
    264Кешбэк 39 баллов
    GPI65015DFNGANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
    1 368Кешбэк 205 баллов
    SIHH186N60EF-T1GE3MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
    952Кешбэк 142 балла
    SQS660CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
    202Кешбэк 30 баллов
    IRFR210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    233Кешбэк 34 балла
    DMTH41M8SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
    432Кешбэк 64 балла
    SQD50P08-25L_GE3MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
    586Кешбэк 87 баллов
    ND2012LТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    109Кешбэк 16 баллов
    DMTH8012LPSW-13MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
    215Кешбэк 32 балла
    NVB150N65S3FMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
    786Кешбэк 117 баллов
    IPI045N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
    761Кешбэк 114 баллов
    MGSF3441VT1P-CHANNEL MOSFET
    38Кешбэк 5 баллов
    FDP8442-F085MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
    305Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП