Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1
;
IPT60R102G7XTMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPT60R102G7XTMA1 при покупке от 1 шт 926.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT60R102G7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рейтинг напряжения: 650В
  • Рейтинг тока: 23А
  • Количество пакетов: 8HSOF

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Хорошая тепловая conducting способность
  • Низкий коэффициент дугового восстановления
  • Экономичное использование энергии

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует точного подбора для обеспечения надлежащей работы

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
  • Использование в источниках питания

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питании периферийного оборудования
  • Системах управления электропитанием
  • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики IPT60R102G7XTMA1

Техническая документация

IPT60R102G7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1803 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    926 ₽
  • 10
    622 ₽
  • 100
    480 ₽
  • 500
    448 ₽
  • 1000
    421 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPT60R102G7XTMA1 при покупке от 1 шт 926.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT60R102G7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства Infineon Technologies. Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рейтинг напряжения: 650В
  • Рейтинг тока: 23А
  • Количество пакетов: 8HSOF

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Хорошая тепловая conducting способность
  • Низкий коэффициент дугового восстановления
  • Экономичное использование энергии

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует точного подбора для обеспечения надлежащей работы

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
  • Использование в источниках питания

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питании периферийного оборудования
  • Системах управления электропитанием
  • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики IPT60R102G7XTMA1

Техническая документация

IPT60R102G7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории