Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPTG210N25NM3FDATMA1

IPTG210N25NM3FDATMA1

IPTG210N25NM3FDATMA1
;
IPTG210N25NM3FDATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPTG210N25NM3FDATMA1 при покупке от 1 шт 1447.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPTG210N25NM3FDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPTG210N25NM3FDATMA1

IPTG210N25NM3FDATMA1 от Infineon Technologies — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением гейта. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 250 В
  • Максимальный ток коллектора (ICKM): 210 А
  • Технология производства: TRENCH
  • Количество выводов (Pin Count): 8
  • Форм-фактор: PG-HSOG-8

Плюсы:

  • Высокая мощность: способен передавать большие токи.
  • Устойчивость к напряжению: может работать при высоких напряжениях до 250 В.
  • Эффективность: низкий коэффициент включения обеспечивает энергоэффективную работу.
  • Миниатюрность: компактный размер благодаря форм-фактору PG-HSOG-8.

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию: требуется точное управление для предотвращения перегрева.
  • Цена: могут быть дороже аналогичных решений из-за высокого качества и производительности.

Общее назначение: используется в различных приложениях, где требуются большие токи и высокие напряжения, такие как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Системы питания
  • Переходники и адаптеры питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPTG210N25NM3FDATMA1

Техническая документация

IPTG210N25NM3FDATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 293 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 447 ₽
  • 10
    1 119 ₽
  • 25
    969 ₽
  • 100
    863 ₽
  • 250
    861 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPTG210N25NM3FDATMA1 при покупке от 1 шт 1447.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPTG210N25NM3FDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPTG210N25NM3FDATMA1

IPTG210N25NM3FDATMA1 от Infineon Technologies — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением гейта. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 250 В
  • Максимальный ток коллектора (ICKM): 210 А
  • Технология производства: TRENCH
  • Количество выводов (Pin Count): 8
  • Форм-фактор: PG-HSOG-8

Плюсы:

  • Высокая мощность: способен передавать большие токи.
  • Устойчивость к напряжению: может работать при высоких напряжениях до 250 В.
  • Эффективность: низкий коэффициент включения обеспечивает энергоэффективную работу.
  • Миниатюрность: компактный размер благодаря форм-фактору PG-HSOG-8.

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию: требуется точное управление для предотвращения перегрева.
  • Цена: могут быть дороже аналогичных решений из-за высокого качества и производительности.

Общее назначение: используется в различных приложениях, где требуются большие токи и высокие напряжения, такие как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Системы питания
  • Переходники и адаптеры питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPTG210N25NM3FDATMA1

Техническая документация

IPTG210N25NM3FDATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории