Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPU80R1K4CEBKMA1

IPU80R1K4CEBKMA1

IPU80R1K4CEBKMA1
;
IPU80R1K4CEBKMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPU80R1K4CEBKMA1 при покупке от 567 шт 98.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPU80R1K4CEBKMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPU80R1K4CEBKMA1

IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (MOSFET N-канальный). Вот основные параметры:

  • Номинальное напряжение на разделяющем слое (VDS(on)): 800В
  • Номинальный ток при рабочем напряжении (ID(on)): 3.9А
  • Тип корпуса: TO251-3

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый ток утечки
  • Хорошая термическая стабильность
  • Простота управления

Минусы:

  • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в электропитании и преобразовании энергии
  • Регулирование напряжения в различных устройствах
  • Обеспечение защиты от перегрузки и перенапряжения

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питании бытовой техники
  • Промышленных системах управления
  • Энергоэффективных решениях
Выбрано: Показать

Характеристики IPU80R1K4CEBKMA1

Техническая документация

IPU80R1K4CEBKMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 18925 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 567 шт
  • Количество
    Цена
  • 567
    98 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPU80R1K4CEBKMA1 при покупке от 567 шт 98.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPU80R1K4CEBKMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPU80R1K4CEBKMA1

IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (MOSFET N-канальный). Вот основные параметры:

  • Номинальное напряжение на разделяющем слое (VDS(on)): 800В
  • Номинальный ток при рабочем напряжении (ID(on)): 3.9А
  • Тип корпуса: TO251-3

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый ток утечки
  • Хорошая термическая стабильность
  • Простота управления

Минусы:

  • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в электропитании и преобразовании энергии
  • Регулирование напряжения в различных устройствах
  • Обеспечение защиты от перегрузки и перенапряжения

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питании бытовой техники
  • Промышленных системах управления
  • Энергоэффективных решениях
Выбрано: Показать

Характеристики IPU80R1K4CEBKMA1

Техническая документация

IPU80R1K4CEBKMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 567 шт